ガリウム収束イオンビーム励起オージェ電子を用いる微小領域の元素マッピッング
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概要
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固体表面にイオンビームを照射するとオージェ電子が放出される. これまで, イオン励起オージェ電子放出(IAE)は表面局所分析に応用された例がほとんどない. 著者らは, ガリウム収束イオンビーム(Ga FIB)を用い, AlとSiのIAEスペクトルを測定した. 通常の電子ビーム励起オージェスペクトルと異なり, スパッタされた原子から放出されたオージェ電子によるシャープなピーク(atomic-likeピーク)が見られた. Al及びSiでは, atomic-likeピークの収率とS/B (signal-to-background)比は電子ビーム励起よりも高く, Ga FIB入射エネルギーの増加に伴い, 直線的に増加することが分かった. このような特徴とサブミクロンまで収束可能なGa FIBの長所を利用し, サブミクロンの面方向分解能を持つGa FIB励起オージェ電子マッピング法を実現した.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1998-06-05
著者
-
坂本 哲夫
東京大学環境安全研究センター
-
尾張 真則
東京大学環境安全研究センター
-
坂本 哲夫
東京大学生産技術研究所
-
二瓶 好正
東京大学生産技術研究所
-
程 朝暉
東京大学生産技術研究所
-
高橋 正典
東京大学生産技術研究所
-
倉本 靖之
東京大学生産技術研究所
-
二瓶 好正
東京理科大学総合研究機構
-
坂本 哲夫
東大 環境安全研セ
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