LaB6単結晶の表面と熱電子放射
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 電界放出電子のエネルギー分布
- 金属表面上のグラフェン,h-BNおよびBC_3膜(グラフェンの成長と応用)
- 3p-B4-6 WC(0001)表面上のグラファイトのEELS
- 大立体角電子エネルギー分析器の試作
- 4a-NM-9 ICISS(およびISS)における多重散乱の解析
- 4a-NM-8 ICISSによる表面電子空間分布の研究
- 4a-NM-7 ICISSによる表面原子配列の定量的決定
- 31p-J-3 TiC(001)とTiC(111)表面の観察
- 単原子電子源を搭載した低速走査型電子顕微鏡の開発
- 極高真空の発生・計測・利用技術の開発に関する研究プロジェクト
- 15aPS-21 エピタキャシャル BC_3 薄膜のフォノン構造(領域 9)
- 21aPS-3 NbB_2(0001)面上にエピタキシャル成長した準安定状態BC_3薄膜(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 大立体角電子エネルギー分析器の試作(II)
- 単分子吸着したNi(111)表面のCr-Lα, Al-Kα線光電子回折における光源依存性
- 回折面アパーチャを用いた X 線光電子回折パターンの高角度分解能測定
- 2p-D-5 He^+に対するTiのシャドーコーン(実験と計算)
- オ-ジェ電子分光法(AES) (セラミックスの表面,界面を探る)
- 表面フォノン
- 遷移金属炭化物の表面物性
- グラフェンとh-BNの化学気相堆積膜
- カーボンナノチューブからのコヒーレント電子ビームの放出 : FEM像内のヤング干渉縞
- LaB6の電子放射特性と表面物性
- 29a-U-8 ISSによるTiC(001)面の観察
- 4)LaB_6熱陰極とその表面(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- LaB_6熱陰極とその表面(カソードの最近の進歩)
- 3p-AC-13 固体-気体平衡界面の温度・圧力依存性
- LaB6の熱電子放射特性 (エミッタ-特集)
- 六ホウ化ランタンとその応用(新結晶新物質)
- LaB6単結晶の表面と熱電子放射
- ランタンヘキサボライドの熱陰極への応用(研究ノ-ト)
- 高輝度電子線源材料--LaB6 (期待される機能材料)
- 実用極高真空電子銃
- 単原子電子源の電子放出特性
- 解説記事 コヒーレント電子ビームの開発
- 電界電子放出と表面科学
- 低エネルギ-希ガスイオン散乱分光法
- 低速電子エネルギー損失分光法による表面フォノンの研究 (日本IBM科学賞)
- 遷移金属炭化物 (100) 表面の表面フォノン
- 極高真空電界電子放出と韓国の極高真空技術
- 14pYB-2 微小バイプリズムを用いた電子ビームのコヒーレンス長測定(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- ナノ領域から電界放出される電子波の干渉
- 27p-C-8 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化
- 3a-S-6 CaF_2(111)面のICISS
- 3a-S-5 散乱軌道に依存したHe^+イオンの中性化
- 3a-E-5 微視的光学表面フォノン
- 2p-E-2 低エネルギー希ガスイオンの表面における中性化機構
- 2p-E-1 低エネルギーHe^+イオンと表面の電荷交換
- 1a-RJ-3 ISSにおけるイオン中性化II・TaC(100)
- 13a-Y-6 Si(111)-7×7表面のICISS(構造と安定性)
- 11p-A-8 ICISSによるTiC(111)面への酸素吸着
- 11p-A-7 ISSにおけるイオン中性化・TiC(100)
- 30a-Y-6 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-Y-5 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 II
- 電子源
- 電子エネルギー損失分光法 (EELS, HREELS)
- LaB6の電子放射特性と表面物性
- 30a-Y-4 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-BE-7 Si(111)-7×7の直衝突イオン散乱分光(ICISS)
- 30a-A-3 TiC(100)表面の直衝突イオン散乱分光(ICISS) : 表面原子空孔構造の解析
- LaB6の熱電子放射特性
- 極高真空技術 [II] : 3.ステンレス鋼真空槽の極高真空技術(2)。4.アルミニウム真空槽の極高真空化技術。
- 極高真空電界放射型電子銃の試作
- 表面処理TiCフィールドエミッターの特性
- 10-10 Paの到達真空度をもつ強電界電子放射測定装置の試作
- 26a-O-10 グラファイト(0001)面の2次元的フォノン
- 4a-NM-6 ICISS(直衝突イオン散乱分光法):表面原子配列の定量的決定のための新手法
- 単原子電子源周辺の新物理現象
- 超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察
- LaB6カソ-ドを用いた小型で安定なPierce型電子銃の試作
- 2p-K3-12 遷移金属炭化物の酸素吸着(表面・界面)
- 27p-GA-4 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化 II(表面・界面)
- 28a-H-13 TiC(100)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 2p-F4-10 NiO(100)とMgO(100)の表面フォノン(表面・界面)
- 2p-F4-11 Mo(111)表面フォノン(表面・界面)
- 2p-K3-13 CaF2/Si(111)のISSによる研究(表面・界面)
- 28a-H-12 TiC(310)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 1p-A2-3 Si(111)-√×√Ag表面のICISSuによる構造解析(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 1p-A2-2 低エネルギーH^+_eイオンと表面の電荷交換II(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 29p-TC-1 LiF(001)面の表面フォノン(29pTC 表面・界面)
- 30p-TJ-7 表面電子励起に伴うHe^+の非弾性散乱(30pTJ 表面・界面)