日比野 浩樹 | Ntt物性基礎研
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概要
関連著者
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
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日比野 浩樹
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影島 博之
NTT物性基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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村木 康二
NTT物性基礎研
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山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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田邉 真一
Ntt物性基礎研
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山本 隆夫
群馬大学工学部共通講座
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山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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岡村 典子
お茶の水大・理
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山口 浩司
根室市立病院外科
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阿久津 典子
大阪電通大
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山本 隆夫
群馬大
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本間 芳和
東京理科大学
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阿久津 典子
大阪電通大工
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山本 隆夫
群馬大工
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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日比野 浩樹
Ntt 物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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阿久津 典子
大阪電通大大学院総合電子工学専攻
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山本 隆夫
群馬大院・工
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阿久津 典子
学習院大学理学部
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永瀬 雅夫
徳島大工
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高瀬 恵子
Ntt物性基礎研
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嶽山 正二郎
東大物性研
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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齋藤 宏晃
東大院工
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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東大物性研
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熊田 倫雄
NTT物性基礎研
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関根 佳明
NTT-BRL
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橋坂 昌幸
東工大極低温セ:東工大院物性物理
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鎌田 大
NTT物性基礎研
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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藤澤 利正
東工大院理工
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阿久 津典子
大阪電気通信大学工学部
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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橋坂 昌幸
東工大院理工
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関根 佳明
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
東京理科大
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熊田 倫雄
NTT物性科学基礎研究所
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橋坂 昌幸
東工大院理
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藤澤 利正
東工大院理
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田中 悟
九大院工
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松田 康弘
東大物性研
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澤部 博信
物性研
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福谷 克之
東大生研
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松本 益明
東大生研
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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森田 康平
九大院工
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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澤部 博信
東大物性研
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荻野 俊郎
Ntt物性科学基礎研究所
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小田原 玄樹
早稲田大学応用物理学科
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高瀬 恵子
Ntt物性科学基礎研究所
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小栗 克弥
Ntt物性基礎研
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田邉 真一
NTT物性科学基礎研究所
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山本 隆夫
群大理工院
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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舘野 功太
NTT物性科学基礎研究所
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関根 佳明
NTT物性研
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松井 朋裕
東大院理
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福山 寛
東大院理
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山本 隆夫
群馬大院工
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小嗣 真人
JASRI SPring-8
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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岡野 達雄
東大生研
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水野 清義
九大院総理工
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大河内 拓雄
JASRI
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Fukuyama Hidetoshi
Department Of Physics Univercsity Of Tokyo
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小嗣 真人
Jasri
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福谷 克之
東京大学生産技術研究所
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福谷 克之
東大生産技術研
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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安江 常夫
大阪電気通信大学
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相澤 則行
東学大
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高木 大輔
東京理科大学理学研究科
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鎌田 大
東工大極低温セ:ntt物性基礎研
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大島 忠平
無機材研
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大谷 茂樹
物質材料研究機構
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大島 忠平
早稲田大学理工学部
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小栗 克弥
NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智子
NTT基礎研
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HU Changwu
Deperment of Physics and Astronomy, Arizona State University
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TSONG Ignatius
Deperment of Physics and Astronomy, Arizona State University
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FINNIE Paul
NTT物性基礎研
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萩野 俊郎
NTT物性基礎研
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国井 泰夫
NTT物性科学基礎研究所
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小嗣 真人
広島大学放射光科学研究センター
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大島 忠平
早稲田大学
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相澤 則行
東京学芸大学物理学
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Hu Changwu
Deperment Of Physics And Astronomy Arizona State University
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Tsong Ignatius
Deperment Of Physics And Astronomy Arizona State University
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森田 康平
九州大学大学院工学研究院
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鎌田 大
Ntt物性基礎研:東工大院理工
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舘野 功太
Ntt物性基礎研
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Fukuyama Hidetoshi
Institute Of Solid State Physics University Of Tokyo
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永瀬 雅夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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高木 大輔
NTT物性科学基礎研究所
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高瀬 恵子
NTT物性科学基礎研究
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越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター
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中辻 寛
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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安江 常夫
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター
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鈴木 雅彦
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所学術フロンティア推進センター
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村木 康二
NTT物性科学基礎研究所
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村木 康二
NTT物性科学基礎研究
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研究
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中辻 寛
東工大院理工
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小田原 玄樹
早稲田大学先進理工学部応用物理学科
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小嗣 真人
(公財)高輝度光科学研究センター(SPring-8/JASRI)
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田邊 真一
NTT物性科学基礎研究所
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小田原 玄樹
早稲田大学
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村田 祐也
NTT物性基礎研
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小田原 玄樹
産総研
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Bindel Jan.Raphael.
東大院理:RWTHアーヘン
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鈴木 雅彦
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
著作論文
- 28aYG-3 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果III : interplay factorの温度変化を取り入れたmodified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pGP-1 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析(21pGP 領域7,領域9合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGQ-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果IV : 方向に傾いた微斜面でステップ・バンチングが消失する温度近傍の密度行列くりこみ群計算(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-6 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果II : modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-6 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション : 変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V : 低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノワイヤの配列制御に向けた触媒金属の表面原子ステップへの配置
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長
- 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pHA-7 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面上の鉄シリサイド薄膜成長過程の研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Auナノ粒子触媒のサイズに依存したナノカーボン材料成長
- 24aSB-8 SiC上グラフェンにおけるプラズモン伝導測定(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-8 SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場磁気光学(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pCJ-4 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンにおける最小電気伝導度とN=0ランダウレベルにおける挙動(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察
- エピタキシャルグラフェンの成長と電子物性
- 18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aEC-5 SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理論(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
- 18aEC-5 SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場下サイクロトロン共鳴(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aEC-8 グラフェンにおけるプラズモンのナノリボンを利用した時間分解伝導測定(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXT-6 SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場下サイクロトロン共鳴II(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXZA-5 Si(111)表面上における鉄シリサイド薄膜成長過程の光電子・低速電子顕微鏡観察(26aXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXT-7 SiC上成長エピタキシャルグラフェンにおけるプラトー間遷移(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pJA-2 グラフェン成長のその場観察(主題:二次元物質の成長過程,領域9シンポジウム,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aDK-7 SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 27aDH-9 SiC上エピタキシャルグラフェンにおけるゼロエネルギーランダウ準位の分裂(グラフェン(電磁効果・電子相関),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aDK-3 クリプトン原子でインタカレートしたSiCグラフェンのSTM/S観測(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 26pJB-7 Si(111)微斜面における(7×7)-(1×1)相転移温度の低下(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJB-3 Si(111)微斜面における不連続な表面張力 : (7x7)-(1x1)相転移とステップの相互作用(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aDH-2 2層グラフェンの超強磁場磁気光学(グラフェン(電磁効果・電子相関),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- グラフェンのSiCの熱分解による生成と電気伝導特性