越川 孝範 | 大阪電通大
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概要
関連著者
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越川 孝範
大阪電通大
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安江 常夫
大阪電通大
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越川 孝範
大阪電通大エレクトロニクス基礎研
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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安江 常夫
大阪電気通信大学
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鈴木 雅彦
大阪電通大
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郭 方准
JASRI SPring-8
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城戸 義明
立命館大理工
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郭 方准
Jasri
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郭 方准
高輝度光科学研究センター
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小林 啓介
JASRI SPring-8
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松下 智裕
Jasri
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清水 宏
大阪電通大
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笠井 秀明
阪大工
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Bauer E.
アリゾナ州立大
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小島 一希
阪大工
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松下 智裕
JASRI, SPring-8
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Park C.
全北大
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工藤 和恵
お茶大アカプロ
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中口 明彦
大阪電通大
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岡村 典子
お茶の水大・理
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KASAI Haruo
Department of Electrical and Electronics Engineering, Chiba University
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阿久津 典子
学習院大学理学部
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Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
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山本 尚人
KEK
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
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小林 啓介
物材機構
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中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
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奥見 正治
名古屋大学・大学院理学研究科
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真野 篤志
名古屋大学・大学院理学研究科
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中川 靖英
名古屋大学・大学院理学研究科
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山本 尚人
名大工
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金 秀光
名大工
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宇治原 徹
名大工
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坂 貴
大同工大
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加藤 俊宏
大同特殊鋼
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山本 将博
KEK
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Dino Wilson
阪大院理
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木下 豊彦
NEDO
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科
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竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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Horinaka Hiromichi
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
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Horinaka Hiromichi
Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University
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BAUER Ernst
アリゾナ州立大学物理天文学科
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志水 隆一
大阪工業大学情報科学部
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木下 豊彦
JASRI, SPring-8
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木下 豊彦
Jasri
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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Dino Wilson
大阪大学 ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
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城戸 義明
立命館大 理工
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阿久津 典子
大阪電通大大学院総合電子工学専攻
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仙波 泰徳
JASRI, SPring-8
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大橋 治彦
JASRI, SPring-8
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斎藤 祐児
JAEA
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大橋 治彦
理研xfel:jasri
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仙波 泰徳
Jasri
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辛 埴
理研 SPring-8
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竹内 智之
JASRI, SPring-8
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大浦 正樹
理研 SPring-8
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脇田 高徳
岡山大院自然:jst-crest
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脇田 高徳
Jasri
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中村 初夫
大阪電通大
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山本 尚人
名古屋大学大学院 工学研究科
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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竹内 智之
理研 SPring-8
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永山 進
(財)材料科学技術振興財団
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竹内 智之
Jasri Spring-8
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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斎藤 祐児
Jaeri
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山本 尚人
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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大橋 治彦
Jasri
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山本 将博
名古屋大学理学研究科
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前多 悠也
名古屋大学工学研究科
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金 秀光
名古屋大学工学研究科
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谷奥 雅俊
名古屋大学工学研究科
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渕 真悟
名古屋大学工学研究科
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坂 貴
大同工業大学工学部
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堀中 博道
大阪府立大学
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竹田 美和
名古屋大学
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Dino W.
阪大工
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石田 考朗
立命館大理工
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Bauer E.
Arizona State Univ.
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尾形 篤
大阪電気通信大学工学部応用電子工学科 エレクトロニクス基礎研究所
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石田 考朗
立命館大学理工学部物理学科
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尾形 篤
大阪電通大
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中村 初夫
大阪電通大工
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室 隆桂之
Jasri/spring-8
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Park C
全北大
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室 隆桂之
JASRI
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阿久津 典子
大阪電通大工
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為則 雄祐
JASRI, SPring-8
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奥田 太一
東大物性研
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桑原 真人
名古屋大学・大学院理学研究科
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竹田 美和
名大工
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孝橋 照生
日立中研
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大嶋 卓
日立中研
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堀中 博道
阪府大工
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永山 進
材料科学財団
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工藤 正博
材料科学財団
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為則 雄祐
Jasri
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為則 雄祐
Jasri/spring-8
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斉藤 裕児
原研 SPring-8
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池田 敦
立命館大学
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孫 海林
東大物性研
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Dino Wilson
阪大工
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住田 勲勇
松下技研株式会社
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奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
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小島 健太郎
大阪電気通信大学工学部応用電子工学科 エレクトロニクス基礎研究所
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齋藤 祐児
原研
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田中 英行
松下技研
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Bauer Ernst
アリゾナ州立大学
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李 日昇
大阪電通大エレ研
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池田 敦
立命館大理工
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脇田 高徳
OECU
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小林 啓介
OECU
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天川 良太
大阪電通大
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堀中 博道
大阪府立大学大学院工学研究科
-
田中 英行
松下技研株式会社
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Tamenori Y.
Jasri
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小島 健太郎
大阪電通大
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Li R‐s
大阪電通大 工
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阿久 津典子
大阪電気通信大学工学部
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Jalochowski M.
Univ. of Marie Curie-Sklodowska
-
住田 勲勇
松下技研 (株)
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上山 貴之
大阪電通大エレ研
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高田 光晴
大阪電通大エレ研
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影島 博之
NTT物性基礎研
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石井 秀司
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻:(現)(株)イオン工学研究所
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木下 豊彦
東大物性研
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斉藤 祐児
原研 SPring-8
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林 俊一
新日本製鐵(株)先端技術研究所
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工藤 正博
材料科学技術振興財団
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渡辺 義夫
JASRI SPring-8
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渡辺 義夫
広大院理
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平井 正明
岡山大理
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日下 征彦
岡山大理
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岩見 基弘
岡山大理
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C Park
全北大
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城片 義明
立命館大理工
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永山 進
材料科学技術財団
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林 俊一
東京工業大学
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渡辺 義夫
Jasri
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生田 孝
大阪電通大
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岡野 達雄
東京大学生産技術研究所
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大島 忠平
早稲田大学理工学部応用物理学科
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田村 圭司
大阪府立大学大学院工学研究科電子物理工学
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宮田 洋明
東レリ
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小林 啓介
東レリ
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森田 健治
名城大
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城戸 義明
豊田中研
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川本 淳一
豊田中研
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白木 将
東京大学生産技術研究所
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宮田 洋明
東レ
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尾張 真則
東京大学環境安全研究センター
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大島 忠平
無機材研
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後藤 敬典
名古屋工業大学
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大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
-
大島 忠平
早稲田大学理工学部
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西村 智朗
立命館大理工
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二瓶 好正
東京理科大学総合研究機構
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石井 秀司
東京大学生産技術研究所
-
二瓶 好正
東京理科大学
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松波 弘之
京大工
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志水 隆一
大阪大学工学部
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志水 隆一
大阪工業大学
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生田 孝
大阪歯科大学 口腔解剖
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター(jasri)
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後藤 敬典
産業技術研究所(中部センター)
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松下 智祐
JASRI SPring-8
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田村 圭司
東京大学生産技術研究所
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田口 雅美
アルバック・ファイ株式会社 技術部
-
田口 雅美
アルバックファイ
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山下 憲一
大阪電通大エレ研
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井元 健氏
立命館大理工
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高橋 宏彰
大阪電通大
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木村 吉秀
阪大院・工
-
木村 吉秀
阪大工
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芝原 健太郎
京大工
-
林 俊一
新日本製鐵(株)
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石井 秀司
東京大学 生産技術研究所
-
天野 幹也
東京大学生産技術研究所
-
田村 理恵
東京大学生産技術研究所
-
堂井 真
理学電機
-
塚本 勝美
理学電機
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大島 忠平
早稲田大学
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Difio Wilson
阪大工
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Li R.S.
大阪電通大
-
白木 將
理化学研究所
-
井元 健氏
立命館大学
-
木村 吉秀
大阪大 大学院工学研究科
-
塚本 勝美
リガク
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仙波 泰徳
理研xfel:jasri
-
松下 智裕
Jasri/spring-8
-
大浦 正樹
理研spring-8センター
-
光川 幸治
大阪電通大エレ研
-
菅 武
大阪電通大エレ研
-
上山 貴之
大阪電通大工
著作論文
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
- 24a-PS-38 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程
- 4a-PS-36 中速イオン散乱分光法によるCu/Si(111)の成長過程
- 22pPSB-13 BL17SU/SPring-8におけるLEEM/PEEM成果報告(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYH-9 BL17SU/SPring-8における光電子顕微鏡の立ち上げ(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aYH-9 BL17SU/SPring-8における光電子顕微鏡の立ち上げ(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 26pXP-8 放射光PEEMを用いた,NiOの高分解能Ni-L端吸収スペクトルとMLD(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
- 第15回イオンと表面との非弾性衝突に関する国際ワークショップ報告
- 薄膜・表面物理分科会企画 : 最新表面顕微鏡技術とナノテクノロジーへの応用
- 4a-L-2 50-200keV H^+ビームにたいするエネルギストラグリング
- LEEMによる鋼における動的挙動の観察
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 24aPS-118 分光型光電子・低エネルギー電子顕微鏡と放射光を用いる表面研究(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 6p-H-12 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"構造の超高分解能解析
- 6p-H-8 中エネルギー反跳H検出法によるSi表面水素の分析
- 14aXD-1 SPring-8 における光電子顕微鏡 SPELEEM の利用(表面・界面磁性, 領域 3)
- 14pXG-2 SPring-8 光電子顕微鏡を用いた In, Co/Si(111) の観察(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 14aXD-1 SPring-8 における光電子顕微鏡 SPELEEM の利用(表面・界面磁性, 領域 9)
- 12aXF-4 Cu/W(110) の量子サイズ効果と PEEM 像のコントラスト(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
- 28aWP-11 球面収差除去した高分解能光電子顕微鏡の開発(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 絶対仕事関数測定顕微鏡の開発
- 低エネルギー電子顕微鏡と光電子顕微鏡による動的観察と構造解析
- 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の表面研究への応用と将来展望
- LEEMによるSi(111)およびH/Si(111)上のCuナノ構造形成過程の動的観察と構造解析
- 低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)と光電子顕微鏡(PEEM)の像形成過程と将来展望
- 29a-J-11 超高分解能MEISによるCu/Si(111)"5x5"の解析
- 28a-WB-7 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)"5x5"の表面構造
- 15a-DJ-8 Si(111)"5×5"-Cuの表面構造解析 : 中エネルギ-イオン散乱法による
- 回折面アパーチャを用いた X 線光電子回折パターンの高角度分解能測定
- イオン散乱分光法
- オ-ジェ電子分光法による定量分析 (表面分析特集)
- 表面研究における二次電子放出現象
- 12p-DJ-12 Na/Si(111)の吸着構造と2次イオン放出
- 25p-Y-12 Na/Si(111)の成長にともなう仕事関数変化
- イオン散乱法を用いた表面界面の解析 (物理表面の物理分析技術)
- イオンを用いたマイクロアナリシス (マイクロビ-ムアナリシスの現状と展望)
- イオン照射にともなう薄膜合金表面の濃度変化--イオン照射誘起偏析・拡散
- 27aXE-8 水素終端Si(111)上のCu島の構造解析
- 23aW-8 LEEMを用いたSi(111)上でのCuアイランドの形成過程
- オージェ電子分光法による定量分析
- 第5回低エネルギー電子顕微鏡/光電子顕微鏡国際会議報告
- イオン照射にともなう薄膜合金表面の濃度変化 : イオン照射誘起偏析・拡散
- 29a-WB-2 Cu/Si(111)"5x5"成長過程のSTMによる観察
- 25p-Y-9 Cu/Si(111)の成長過程のSTMによる観察
- 27a-ZS-6 中速イオン散乱法によるCu/Si(111)の「かくれた」界面構造の観察
- 6p-H-6 スタティックイオン衝撃によるアルカリ/Siにおける2次イオン中性化過程
- 3p-J-6 アルカリ/Siからの2次イオン放出過程
- 26a-YR-3 水素終端Si(111)上でのCu島成長過程
- 5p-B-8 水素終端されたSi(111)表面上でのCuの成長
- 31p-PSB-53 Cu/Si(111)成長におよぼす水素の影響
- 25p-Y-10 高温におけるCu/Si(111)の成長過程 : MEIS, RHEED, AES
- 29p-PS-9 中エネルギーイオン散乱法によるCu/Si(111)の成長初期過程の研究
- 18aFN-7 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aFN-7 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成(18aFN 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSA-64 W(110)基板上におけるCo/Niマルチレイヤーにおける磁気異方性の理論的研究(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 26pPSA-27 W(110)上におけるCo/Ni多重層の構造と磁気特性の関係に関する理論的研究(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 水素終端Si(111)表面上でのCu薄膜の成長
- 8aSP-3 LEEM、LEEDによるSi(113)上のGe成長過程の観察(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 28aPS-8 Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)
- 27pPSA-35 Ca/Ni多重層の積層過程における磁気特性の変化に関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-54 CdNi多重層の磁気特性の構造依存性に関する理論的研究(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))