坂 貴 | 大同工大
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概要
関連著者
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坂 貴
大同工大
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坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
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加藤 俊宏
大同特殊鋼
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坂 貴
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野
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中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
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坂 貴
大同工業大学工学部
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奥見 正治
名古屋大学・大学院理学研究科
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井上 美香
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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井上 美香
大同特殊鋼(株) 技術開発研究所
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奥見 正治
名古屋大学 理学部
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中西 彊
名古屋大学 理学部 理博
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科
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堀中 博道
大阪府立大学
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
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宇治原 徹
名大工
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岡本 典子
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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山本 尚人
KEK
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真野 篤志
名古屋大学・大学院理学研究科
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中川 靖英
名古屋大学・大学院理学研究科
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山本 尚人
名大工
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金 秀光
名大工
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安江 常夫
大阪電通大
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越川 孝範
大阪電通大
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山本 将博
KEK
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越川 孝範
大阪電通大エレクトロニクス基礎研
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Horinaka Hiromichi
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
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Horinaka Hiromichi
Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University
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廣谷 真澄
大同特殊鋼株式会社 技術開発研究所
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広谷 真澄
大同特殊鋼 新分野開セ
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廣谷 真澄
大同特殊鋼(株)新分野開発センター
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伊藤 清孝
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
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廣谷 真澄
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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安江 常夫
大阪電通大工
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鳥養 映子
山梨大工
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飯久保 知人
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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加藤 俊宏
大同工業大学工学研究科
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飯久保 知人
大同特殊鋼(株)中研
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飯久保 知人
大同特殊鋼
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山口 美香
(株)大同分析リサーチ
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伊藤 清孝
大同特殊鋼(株)中央研究所
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竹田 美和
名大工
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堀中 博道
阪府大工
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下村 浩一郎
高エネ研
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中西 彊
名大理
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津幡 充
名大理
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山本 尚人
名古屋大学大学院 工学研究科
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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永嶺 謙忠
東大理
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鳥養 映子
山梨院医工
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池戸 豊
山梨大工
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山本 尚人
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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安江 常夫
大阪電気通信大学
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山本 将博
名古屋大学理学研究科
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前多 悠也
名古屋大学工学研究科
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金 秀光
名古屋大学工学研究科
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谷奥 雅俊
名古屋大学工学研究科
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渕 真悟
名古屋大学工学研究科
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竹田 美和
名古屋大学
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永嶺 謙忠
高エネルギー加速器研究機構理化学研究所
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鳥養 映子
山梨大医工研
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曽根 豪紀
大同特殊鋼(株)新分野開発センター
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渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
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曽根 豪紀
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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宇治原 徹
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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桑原 真人
名古屋大学・大学院理学研究科
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鈴木 雅彦
大阪電通大
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孝橋 照生
日立中研
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大嶋 卓
日立中研
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渡川 和晃
名大理
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奥見 正治
名大理
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多和田 正文
名大理
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渡川 和晃
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
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若原 康平
山梨大工
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成田 正尚
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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林 良一
大阪府立大・総合科学部
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岸野 克己
上智大理工
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神谷 芳弘
豊田工大
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成田 正尚
大同特殊鋼(株)技術開発研究所:(現)(株)大同分析リサーチ
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下村 浩一郎
高工研物構研
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林 良一
阪府大総科
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林 良一
大阪府立大学総合科学部
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堀中 博道
大阪府立大学大学院工学研究科
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堀中 博道
大阪府大工
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渡川 和晃
独立行政法人理化学研究所 播磨研究所 放射光科学総合研究センター
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成田 正尚
大同特殊鋼(株)中央研究所
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水野 義之
大同特殊鋼
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下村 浩一郎
高工研
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大石 一城
理研仁科セ
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我妻 和明
東北大学金属材料研究所
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永嶺 謙忠
理研
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高橋 千賀子
名大理
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鳥養 映子
山梨大医工
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Buehler P.
SMI
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下村 浩一郎
高エネルギー加速器研究機構
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谷本 育津
名大理
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青柳 秀樹
名大理
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越河 勉
総合研究大学院大
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中村 真介
名大理
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越河 勉
名大理
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石田 勝彦
理研
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下村 浩一郎
高エ研・J-PARCセンター
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永嶺 謙忠
高エ研・J-PARCセンター
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井堀 篤
山梨大工
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下村 浩一郎
高エ研・物構研
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和田 健司
大阪府立大学工学研究科
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下村 浩一郎
KEK物構研
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張 吉夫
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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白木 一郎
山梨大医工
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Bacule Pavel
理研
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坂 貴
大同大工
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加藤 俊宏
大同大工
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横山 浩司
理研
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Tom Harry
UCRiverside
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Kawakami Roland
UCRiverside
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Pratt Francis
RAL-ISIS
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永嶺 兼忠
高エ機構物構研
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坂 貴
大同工大・応用電子
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中西 彊
名大・理・物理
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奥見 正治
名大・理・物理
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堀中 博道
阪府大・工・電子物理
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掘中 博道
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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松本 真聡
大阪府立大・工学部
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原田 知明
大阪府立大・工学部
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中西 彊
名古屋大・理学部
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奥見 正治
名古屋大・理学部
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永峰 謙忠
理研中間子
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SAKA Takashi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Daido Institute of Technology
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水野 義之
大同特殊鋼株式会社 技術開発研究所
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張 吉夫
岡山県立大学
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Buehler Paul
SMI
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永嶺 謙忠
高工研
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Bakule Pavel
理研
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永嶺 謙忠
高エ研-MSL
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張 吉夫
阪大産研
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張 吉夫
大阪府立大学工学部
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和田 健司
阪府大・工
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鳥養 映子
パリ会議準備委員会アンケート分析グループ:山梨大工
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我妻 和明
東北大学 金属材料研究所
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小野 大作
大阪府立大学・工
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永嶺 健忠
高エ研物構研:理研
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保浦 健二
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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相川 守貴
大同特殊鋼(株)新分野開発センター
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原田 治幸
工学研究科 電気・電子工学専攻
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坂 貴
工学部 電気電子工学科
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加藤 俊宏
大同特鋼技開研
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谷本 育律
高エ研
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谷本 育律
名大理
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多和田 政文
名大理
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和田 健司
大阪府立大学 大学院工学研究科
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Wada K
Osaka Prefecture University
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若原 康平
山梨大院医工
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清水 達成
山梨大工
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加藤 俊弘
大同特殊鋼技開研
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山内 紀克
名古屋工業大学電気情報工学科
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荒木 建次
大同特殊鋼
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和田 健司
大阪府立大学
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Inoue Mika
Research And Development Lab. Daido Steel Co.ltd.
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坂 貴
電気電子工学科
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大石 一城
理研
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張 吉夫
大阪府立大学・工
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山内 紀克
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
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山内 紀克
名古屋工業大学
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水野 義之
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
-
Saka Takashi
Department of Applied Electronics, Daido Institute of Technology, 2-21 Daido-cho, Minami-ku, Nagoya 457-8531, Japan
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永峰 謙忠
KEK
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永嶺 謙忠
理研:カリフォルニア大学:KEK
-
永嶺 謙忠
高エ研
-
SAKA Takashi
Department of Applied Electronics, Daido Institute of Technology
-
永嶺 謙忠
高工研 : 理研
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下村 浩一郎
高エ研
著作論文
- 23aHW-6 ミュオニウムスピン交換法による半導体(Si,GaAs)中の伝導電子スピン偏極測定(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- グロー放電質量分析法における相対感度係数のマトリックス依存性
- グロー放電質量分析法における Cu 基, Al 基, Ti 基材料の相対感度係数
- グロー放電質量分析法におけるCu基, Al基, Ti基材料の相対感度係数
- グロー放電質量分析法における相対感度係数
- グロー放電質量分析法における Fe 基, Ni 基合金の相対感度係数
- Fe 基合金のグロー放電質量分析法における試料形状のイオン電流への影響
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スピン偏極電子源
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 新しいスピン偏極電子線源とその応用
- 歪み格子半導体における光励起電子のスピン偏極と緩和
- 30p-J-7 Stained GaAsによるスピン偏極電子源の開発 II
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 幅の異なる量子井戸を有する共鳴キャビティLED
- 歪んだGaAs薄膜のスピン緩和時間の測定
- スピン偏極電子線源とその分析への応用
- InGaAs/AlGaAs多重量子井戸を用いた電流狭窄型発光ダイオードの低劣化挙動
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 28a-ZF-3 GaAs/GaAsP/Si構造中のスピン偏極電子流とミュオンの相互作用
- ブラッグ反射鏡を用いた赤外点光源LEDの開発
- ブラッグ反射鏡を用いた赤外点光源LEDの開発
- グロー放電質量分析法におけるAlの相対感度係数の濃度依存性
- 29a-C-4 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発V
- 29p-W-9 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発 IV
- 24pSB-7 GaAs/Si中の光励起電子によるミュオニウムスピン緩和
- 半導体多層膜反射鏡の赤外LEDへの応用
- グロー放電質量分析法におけるAlの相対感度係数の濃度依存症
- グロー放電質量分析法における原子のイオン化効率
- グロー放電質量分析法による原子のイオン化効率
- グロー放電質量分析法による Fe 基粉末試料の元素分析
- グロー放電質量分析法によるFe基粉末の元素分析
- Correlation between the Relative Sensitivity Factors and the Sputtering Yields in Glow-Discharge Mass Spectrometry
- グロー放電質量分析法およびグロー放電発光分光分析法を用いたグロー放電プラズマの特性の比較研究
- グロー放電質量分析法による元素分析
- グロー放電質量分析法およびグロー放電発光分光分析法を用いたグロー放電プラズマの特性の比較研究
- スピン偏極電子線源
- 26pWE-3 GaAs/GaAsP/Siの円偏光励起によるシリコン基板へのスピン注入(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))