半導体多層膜反射鏡の赤外LEDへの応用
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概要
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空間光伝送などに応用されるAlGaAs系赤外LEDの高出力化を目的に、半導体多層膜からなるブラッグ反射鏡(BR)を有する構造について検討した。BRを面発光LDのミラーに用いた例は既に報告されているが、LEDに適用する場合には高い反射率を示す波長帯域幅が広いことが要求される。著者らは、数値シミュレーションをもとにBR構造の設計を行い、これを適用したLEDを試作し、光出力がBRの無い場合と比べて大幅に向上することを確認した。また、光学的膜厚がLEDの中心発光波長の1,4波長の周りで連続的に変化したチャープ構造BRを提案し、計算により反射帯域幅が広帯域となることを確認するとともに実験による実測値との対比を行い、シミュレーションの正当性を確認した。この構造を実際にLEDに適用することにより、LEDの光出力のウェハ面内均一性が格段に向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-21
著者
-
坂 貴
大同工大
-
加藤 俊宏
大同特殊鋼
-
坂 貴
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
-
坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
-
廣谷 真澄
大同特殊鋼株式会社 技術開発研究所
-
広谷 真澄
大同特殊鋼 新分野開セ
-
廣谷 真澄
大同特殊鋼(株)新分野開発センター
-
山内 紀克
名古屋工業大学電気情報工学科
-
山内 紀克
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
-
山内 紀克
名古屋工業大学
-
廣谷 真澄
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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