歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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我々はこれまでにGaAs/GaAsP歪み超格子半導体フォトカソードにより、高輝度・高偏極度スピン偏極電子源の実現に成功している。その中で、基板をGaAsからGaPに変更することで、偏極度が低下し、さらにGaP基板上にGaAs中間層を導入することで、偏極度が改善されることを見いだした。本研究では、このメカニズムを明らかにするため、それぞれの下地の上に成長するGaAsPバッファ層の歪み緩和過程に注目した。その結果、バッファ層に面内引張歪みが生じるときは主にクラックにより、面内庄縮のときは主に転位導入により歪み緩和し、電子のスピン偏極度は、転位によって低下するが、クラックの影響はほとんど受けないことを見いだした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-05-08
著者
-
山本 尚人
KEK
-
宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
-
中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
-
奥見 正治
名古屋大学・大学院理学研究科
-
真野 篤志
名古屋大学・大学院理学研究科
-
中川 靖英
名古屋大学・大学院理学研究科
-
山本 尚人
名大工
-
金 秀光
名大工
-
宇治原 徹
名大工
-
安江 常夫
大阪電通大
-
越川 孝範
大阪電通大
-
坂 貴
大同工大
-
加藤 俊宏
大同特殊鋼
-
山本 将博
KEK
-
山本 尚人
名古屋大学大学院 工学研究科
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
堀中 博道
大阪府立大学工学研究科
-
山本 尚人
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
-
越川 孝範
大阪電気通信大学
-
安江 常夫
大阪電気通信大学
-
越川 孝範
大阪電通大エレクトロニクス基礎研
-
竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
-
山本 将博
名古屋大学理学研究科
-
前多 悠也
名古屋大学工学研究科
-
金 秀光
名古屋大学工学研究科
-
谷奥 雅俊
名古屋大学工学研究科
-
渕 真悟
名古屋大学工学研究科
-
坂 貴
大同工業大学工学部
-
坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
-
堀中 博道
大阪府立大学
-
堀中 博道
大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野
-
宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学
-
Horinaka Hiromichi
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
-
Horinaka Hiromichi
Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University
-
渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
-
越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
-
奥見 正治
名古屋大学 理学部
-
中西 彊
名古屋大学 理学部 理博
-
安江 常夫
大阪電通大工
-
宇治原 徹
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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