中西 彊 | 名古屋大学 理学部 理博
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概要
関連著者
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中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
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中西 彊
名古屋大学 理学部 理博
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山本 将博
名古屋大学理学研究科
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
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宇治原 徹
名大工
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野
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竹田 美和
名古屋大学
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坂 貴
大同工大
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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中西 彊
名古屋大学大学院理学研究科
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坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
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宇治原 徹
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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中川 靖英
名古屋大学・大学院理学研究科
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金 秀光
名大工
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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中西 彊
名古屋大学理学研究科
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KEK
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山本 尚人
名大工
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大阪府立大学工学研究科
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堀中 博道
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大阪電通大エレクトロニクス基礎研
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金 秀光
名古屋大学工学研究科
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谷奥 雅俊
名古屋大学工学研究科
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名古屋大学工学研究科
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酒井 良介
名古屋大学大学院理学研究科
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渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
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越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
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真野 篤志
名古屋大学・大学院理学研究科
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安江 常夫
大阪電通大
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越川 孝範
大阪電通大
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山本 尚人
名古屋大学大学院 工学研究科
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山本 尚人
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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坂 貴
大同特殊鋼(株)技術開発研究所
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坂 貴
大同工業大学工学部
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Horinaka Hiromichi
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
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Horinaka Hiromichi
Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University
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安江 常夫
大阪電通大工
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桑原 真人
名古屋大学・大学院理学研究科
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中西 彊
名大理
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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安井 健一
名古屋大学理学研究科
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安井 健一
名古屋大学大学院理学研究科
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栗木 雅夫
広島大院先端物質
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安江 常夫
大阪電気通信大学
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前多 悠也
名古屋大学工学研究科
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加藤 鷹紀
名古屋大学大学院工学研究科
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前田 義紀
名古屋大学大学院工学研究科
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陳 博
名古屋大学大学院工学研究科
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竹田 美和
名大工
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鈴木 雅彦
大阪電通大
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孝橋 照生
日立中研
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大嶋 卓
日立中研
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堀中 博道
阪府大工
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吉岡 正和
高工研
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吉岡 正和
高エネルギー物理学研究所
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松本 浩
高工研
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松本 浩
高エネルギー加速器研究機構
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宮本 延春
名古屋大学理学研究科
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浪花 健一
名古屋大学理学研究科
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古田 史生
高エネルギー加速器研究機構
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栗木 雅夫
高エネルギー加速器研究機構
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浪花 健一
名大理
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古田 史生
高工研
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加藤 俊宏
大同工業大学工学研究科
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堀中 博道
大阪府立大学大学院工学研究科
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吉岡 正和
高エネルギー加速器研究機構
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浪花 健一
名古屋大学大学院理学研究科素粒子宇宙物理学専攻
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照沼 信浩
高エ研
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堀川 直顕
中部大工
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浦川 順治
KEK
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堀川 直顕
名古屋大学 理工総研
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浦川 順治
高エネルギー加速器研究機構
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早野 仁司
高エネ研
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張 吉夫
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科 素粒子宇宙物理学専攻
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栗木 雅夫
KEK
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Karataev Pavel
KEK
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照沼 信浩
KEK
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早野 仁司
KEK
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平野 耕一郎
KEK
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山崎 良建
KEK
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高野 幹男
放射線医学研究所
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長谷川 豪志
総合研究大学院大学
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小早川 久
名大工
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和田 公路
名古屋大学理学研究科
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古田 史生
名古屋大学理学研究科
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西谷 智博
名古屋大学理学研究科
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梶川 良一
名大理
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杉本 章二郎
高工研
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掘中 博道
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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林 良一
大阪府立大・総合科学部
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杉本 章二郎
名大理
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高野 幹男
さうび
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平野 耕一郎
高エ研
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山崎 良雄
高エ研
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栗木 雅夫
KEK 田無分室
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新井 重昭
核研
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梶川 良一
名古屋大学
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八巻 哲示
名大理
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張 吉夫
岡山県立大学
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小早川 久
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻
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小早川 久
名古屋大学
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西谷 智博
原子力機構量子ビーム応用研究部門
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松田 武
阪大基礎工
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大島 隆義
名大理
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新井 重昭
名古屋大学理学部
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春日 俊夫
名古屋大学理学部
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松田 武
名古屋大学理学部
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大島 隆義
名古屋大学理学部
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斉藤 政吉
名古屋大学理学部
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杉本 章二郎
名古屋大学理学部
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八巻 哲示
名古屋大学理学部
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早野 仁司
KEK-ATF
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大島 隆義
名古屋大学
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林 良一
阪府大総科
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林 良一
大阪府立大学総合科学部
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張 吉夫
阪大産研
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張 吉夫
大阪府立大学工学部
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小野 大作
大阪府立大学・工
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張 吉夫
大阪府立大学・工
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坂 貴
大同特殊鋼(株)技術開発研究所,工博
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堀中 博道
大阪府立大学 工学部 工博
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中西 彊
名古屋大学理学部物理学科
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西谷 智博
名古屋大学
著作論文
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aXM-8 RF電子銃におけるCsTe陰極の電子放出特性とその安定化(リニアコライダー・RFガン,新領域)
- 25aXM-3 NEA-GaAsフオトカソードを用いた低エミッタンス電子源開発の現状(新領域シンポジウム 主題 : 高輝度電子ビーム源,新領域)
- 27pZR-2 スピン偏極電子源のフォトカソード長寿命化(粒子源)(新領域)
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 新しいスピン偏極電子線源とその応用
- 偏極電子線陰極格子GaAsのスピン依存性発光
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 17p-A-7 エネルギー領域kr=500〜750Mev.発生角θ^_π=68°でのCH_2とCからのπ^+光発生実験について
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高スピン偏極度/高輝度・電子ビーム源
- 歪んだGaAs薄膜のスピン緩和時間の測定
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 得意技を持ち寄る共同開発
- 23pYC-2 スピン偏極電子ビーム源
- 共鳴吸収型スピン偏極電子線源
- 歪んだGaAs薄膜を用いた偏極電子線源
- 超高輝度・高偏極・長寿命スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発とスピントロニクス薄膜材料への応用