宇治原 徹 | 名古屋大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
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宇治原 徹
名大工
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宇治原 徹
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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竹田 美和
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中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
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山本 将博
KEK
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中西 彊
名古屋大学 理学部 理博
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渕 真悟
名古屋大学工学研究科
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渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
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山本 将博
名古屋大学理学研究科
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中川 靖英
名古屋大学・大学院理学研究科
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金 秀光
名大工
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坂 貴
大同工大
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加藤 俊宏
大同特殊鋼
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中西 彊
名古屋大学大学院理学研究科
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金 秀光
名古屋大学工学研究科
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谷奥 雅俊
名古屋大学工学研究科
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坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
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酒井 良介
名古屋大学大学院理学研究科
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山本 尚人
KEK
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奥見 正治
名古屋大学・大学院理学研究科
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真野 篤志
名古屋大学・大学院理学研究科
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山本 尚人
名大工
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竹田 美和
名大工
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安江 常夫
大阪電通大
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越川 孝範
大阪電通大
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科
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越川 孝範
大阪電通大エレクトロニクス基礎研
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野
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Horinaka Hiromichi
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
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Horinaka Hiromichi
Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University
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越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
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中西 彊
名古屋大学理学研究科
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奥見 正治
名古屋大学 理学部
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安江 常夫
大阪電通大工
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李 祐植
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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大野 俊也
名大工
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田渕 雅夫
名大VBL
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竹中 康司
名大工
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山本 尚人
名古屋大学大学院 工学研究科
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生田 博志
名大工:jst Trip
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山本 尚人
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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安江 常夫
大阪電気通信大学
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安井 健一
名古屋大学理学研究科
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前多 悠也
名古屋大学工学研究科
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坂 貴
大同工業大学工学部
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原田 俊太
京都大学大学院
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堀中 博道
大阪府立大学
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川口 昂彦
名大・工
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加藤 鷹紀
名古屋大学大学院工学研究科
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前田 義紀
名古屋大学大学院工学研究科
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宇木 大輔
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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山口 岳宏
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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田中 雄太
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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陳 博
名古屋大学大学院工学研究科
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田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
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田淵 雅夫
名大工
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上村 彦樹
名大工:jst Trip
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安井 健一
名古屋大学大学院理学研究科
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吉田 義浩
名古屋大学大学院工学研究科
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川口 昂彦
名大工:jst Trip
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川口 昴彦
名大工:jst Trip
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関 和明
名古屋大学大学院工学研究科
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原田 俊太
名古屋大学大学院工学研究科
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関 和明
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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桑原 真人
名古屋大学・大学院理学研究科
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鈴木 雅彦
大阪電通大
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孝橋 照生
日立中研
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大嶋 卓
日立中研
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堀中 博道
阪府大工
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川口 昂彦
名大工
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上村 彦樹
名大工
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生田 博志
名大工
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宇治原 徹
名古屋大学工学部
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堀中 博道
大阪府立大学大学院工学研究科
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原田 俊太
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
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関 和明
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
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山本 祐治
名古屋大学大学院工学研究科
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山本 祐治
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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塚本 勝男
東北大学大学院理学研究科
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大石 一城
理研仁科セ
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塚本 勝男
東北大院理
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中田 俊隆
立命館大理工
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塚本 勝男
東北大理
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永嶺 謙忠
理研
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鳥養 映子
山梨大医工
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Buehler P.
SMI
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下村 浩一郎
高エネ研
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中田 俊隆
立命館大学理工学部
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下村 浩一郎
高エネルギー加速器研究機構
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石田 勝彦
理研
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永嶺 謙忠
東大理
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鳥養 映子
山梨院医工
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鳥養 映子
山梨大工
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生田 博志
名大・工
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下村 浩一郎
KEK物構研
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白木 一郎
山梨大医工
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Bacule Pavel
理研
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坂 貴
大同大工
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加藤 俊宏
大同大工
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横山 浩司
理研
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Tom Harry
UCRiverside
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Kawakami Roland
UCRiverside
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Pratt Francis
RAL-ISIS
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永嶺 兼忠
高エ機構物構研
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永峰 謙忠
理研中間子
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宇治原 徹
東北大金研
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灘 浩樹
産業技術総合研究所
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石川 正道
東京工業大学
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奥津 哲夫
群馬大学大学院
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石守 恒一郎
慶應大学理工学部
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荒木 優希
東北大学理学研究科地学専攻博士課程
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山下 基
立命館大学薬学部
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上村 彦樹
名大・工
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大野 俊也
名大・工
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渡邉 諒太郎
名大・工
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宇治原 徹
名大・工
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竹中 康司
名大・工
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竹田 美和
名大・工
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三宅 信輔
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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本同 宏成
北大農
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久保 貴資
立命大理工
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奥津 哲夫
群馬大学工学研究科
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奥津 哲夫
群馬大学大学院工学研究科
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宇治原 徹
名大院・工
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竹田 美和
名大院・工
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Buehler Paul
SMI
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Bakule Pavel
理研
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塚本 勝男
東北大学大学院理学研究科地球惑星物質科学科
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久保 貴資
立命館大理工
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本同 宏成
立命館大理工
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神部 拓也
立命館大理工学部
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西田 幸司
立命館大理工学部
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永嶺 謙忠
高エネルギー加速器研究機構理化学研究所
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鳥養 映子
山梨大医工研
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鳥養 映子
パリ会議準備委員会アンケート分析グループ:山梨大工
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永嶺 健忠
高エ研物構研:理研
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渡邉 諒太郎
Jst-trip:名大工
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本同 宏成
立命大理
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宇治 原徹
名大院・工
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大石 一城
理研
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山下 基
立命館大学情報理工学部
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山本 祐治
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
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永峰 謙忠
KEK
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永嶺 謙忠
理研:カリフォルニア大学:KEK
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塚本 勝男
東北大学大学院 理学研究科 地球惑星物質科学
著作論文
- 2010年日本結晶成長学会特別講演会「地球を救う結晶成長」(学会活動報告)
- 23aHW-6 ミュオニウムスピン交換法による半導体(Si,GaAs)中の伝導電子スピン偏極測定(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子(量子ドットの使い方)
- 20aGH-5 MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価(20aGH FeAs系超伝導(輸送特性など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 第34回結晶成長討論会開催報告(学会活動報告)
- 26aPS-108 MBE法による鉄ヒ素系薄膜の作製(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- SiC及び関連材料国際会議
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- NCCG-40 in北京(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 03aD01 GaAs基板上に成長した有機薄膜に対する表面酸化物の影響(バイオ・有機マテリアル(2),第36回結晶成長国内会議)
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 23pWH-4 MBE法によるLnFeAs(O,F)超伝導薄膜(Ln=La,Nd)の成長と物性評価(23pWH 鉄砒素系超伝導(伝道・磁化・熱),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- どこまで単結晶に近づけるか? : 配向多結晶薄膜の結晶成長(ナノ構造・エピタキシャル成長研究会)
- 生体膜における相分離構造に関する研究
- 日本結晶成長学会・人工結晶工学会 統合記念式典及び統合記念講演会
- 材料工学からの太陽電池研究
- CT-2-2 高品質SiC溶液成長(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- SiC溶液成長の最近の展開(SiCの現状と今後の展開)
- SiC結晶成長における多形制御 : 速度論的多形制御法の提案(3C-SiC溶液成長を例に)(準安定相の形成と結晶成長)