田渕 雅夫 | 名大vbl:jst Trip

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概要

• 同名の論文著者
• 名大vbl:jst Tripの論文著者

関連著者

• 田渕 雅夫

  名大vbl:jst Trip

• 田淵 雅夫

  名大工

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

• 小泉 淳

  名大院工

• 小泉 淳

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 山田 巧

  名古屋大学大学院工学研究科

• 則竹 陽介

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山田 巧

  光エレクトロニクス研究所

• 山内 武志

  名古屋大学工学研究科応用物理学専攻

• 森 敬洋

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 中村 新男

  名大院工

• 大渕 博宣

  名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻

• 小川 和男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 井上 大那

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 槇 英信

  名古屋大学大学院工学研究科

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 竹田 美和

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 中村 新男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中村 新男

  名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科

• 大賀 涼

  名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 槇 英信

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 大賀 涼

  名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 竹田 美和

  名大工

• 田渕 雅夫

  名大VBL

• 竹中 康司

  名大工

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 生田 博志

  名大工:jst Trip

• 山川 市朗

  名大院工

• 藤原 康文

  大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻

• 久留 真一

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 人見 伸也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山川 市朗

  名古屋大学大学院工学研究科

• 人見 伸也

  名古屋大学工学研究科応用物理学専攻

• 宇治原 徹

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宇治原 徹

  名大工

• 大野 俊也

  名大工

• 生田 博志

  名大工

• 大西 宏幸

  名大院工

• 宇治原 徹

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 川口 昂彦

  名大・工

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 山田 寛之

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 井上 優樹

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 上村 彦樹

  名大工:jst Trip

• 山内 武志

  JST-CREST

• 大西 宏幸

  名古屋大学大学院工学研究科

• 鷹羽 一輝

  名古屋大学大学院工学研究科

• 久野 尚志

  名古屋大学大学院工学研究科

• 平田 智也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 島田 里美

  名古屋大学大学院工学研究科

• 園山 貴広

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 大山 泰明

  名大理工総研

• 松葉 康

  名古屋大学工学研究科

• 川口 昂彦

  名大工:jst Trip

• 川口 昴彦

  名大工:jst Trip

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科

• 川口 昂彦

  名大工

• 上村 彦樹

  名大工

• 山内 武志

  CREST-JST

• 大山 泰明

  名古屋大学工学研究科

• 渡邉 諒太郎

  Jst-trip:名大工

• 中村 新男

  名大理工総研

• 丸本 一弘

  名大工

• 黒田 新一

  名大工

• 生田 博志

  名大・工

• 上村 彦樹

  名大・工

• 大野 俊也

  名大・工

• 渡邉 諒太郎

  名大・工

• 宇治原 徹

  名大・工

• 竹中 康司

  名大・工

• 竹田 美和

  名大・工

• Yakovlev N.

  Ioffe Physico-technical Institute

• Sokolov N.

  Ioffe Physico-technical Institute

• 渡辺 諒太郎

  名大工

• 山田 浩臣

  名大工

• 槙 英信

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 安達 俊彰

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 田渕 雅夫

  名大院工

• 山内 武志

  科学技術振興事業団CREST

• 中村 新男

  科学技術振興事業団CREST

• 山内 武志

  科学技術新興事業団CREST

• 中村 新男

  科学技術新興事業団CREST

• 大山 泰明

  名大院工

• 松葉 康

  名大院工

• 田淵 雅夫

  名大院工

• 田渕 雅夫

  名大工

• 荒木 宗貴

  名古屋大学大学院工学研究科

• 藤原 康文

  大阪大学工学研究科マテリアル科学専攻

• 木原 秀二

  名大工

• 大渕 博宣

  名大工

• Banschchikov A.

  Ioffe Physico-technical Institute

• Banshchikov A.

  Ioffe Physico-technical Institute

• 渡辺 諒太郎

  名大工:jst-trip

• 高橋 隆造

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

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著作論文

• 20aGH-5 MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価(20aGH FeAs系超伝導(輸送特性など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aPS-108 MBE法による鉄ヒ素系薄膜の作製(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 28aRH-8 LnFeAs(O,F)(Ln:ランタノイド)のLnサイト固溶効果(鉄系超伝導体7(圧力効果・構造など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• X線CTR散乱法と断面STMによるヘテロ界面形成過程の考察 : OMVPE法によるInP/InGaAs/InPの形成(電子部品・材料,及び一般)
• 23pWH-4 MBE法によるLnFeAs(O,F)超伝導薄膜(Ln=La,Nd)の成長と物性評価(23pWH 鉄砒素系超伝導(伝道・磁化・熱),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
• MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
• MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
• 1原子挿入層によるヘテロ界面と結晶性の制御(電子部品・材料, 及び一般)
• 31pZF-5 ケルビンカ顕微鏡による GaAs 上 InAs 量子ドットの局所ポテンシャル観測
• 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化
• 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化
• 25aTA-4 GaAs(001)面上InGaAs量子ドットのトンネルスペクトルにおける光照射効果
• MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開 : 結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製
• XAFS測定の半導体への応用
• 27aYB-3 MnF_2-CaF_2超格子のESR II
• ヘテロエピタキシャル成長とヘテロ構造 : でき上がった構造をナノスケール非破壊で見る
• III-V族化合物半導体ヘテロ界面におけるIII族原子分布のX線CTR散乱法による解析 : エピタキシャル成長III

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