III-V族化合物半導体ヘテロ界面におけるIII族原子分布のX線CTR散乱法による解析 : エピタキシャル成長III

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概要

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• Hetero-interfaces of InP/InGaAs/InP grown by OMVPE(organometallic vapor phase epitaxy) and GaAs/ InAs/GaAs grown by MBE(molecular beam epitaxy) were investigated by X-ray CTR(crystal truncation rod) measurement. The results of the X-ray CTR measurement showed that the distribution of the group-V atoms can be controlled by the change of the growth sequence. However, the group-III atoms still distributed wider and peak compositions of Ga were smaller than' those designed for all the samples. It suggests that more efforts are necessary to control the distribution of group-III atoms after we solved the problem of group-V atoms distributions.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-01

著者

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田渕 雅夫

  名大vbl:jst Trip

• 田淵 雅夫

  名大工

• 荒木 宗貴

  名古屋大学大学院工学研究科

• 高橋 隆造

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

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