有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
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概要
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減圧有機金属気相エピタキシャル法(LP-OMVPE)によりGaP(001)上にInAs島の作製を行った。AFMを用いて、InAs島作製温度及びTMIn供給量に対する表面モフォロジーの変化を調べた。その結果、InAs島作製温度450℃、TMIn供給量0.3μmol/minの場合に、もっともサイズが小さくかつ高密度のInAs島が得られた。そのInAs島の高さは5nm、底面直径は30nmであった。このInAs島を用いGaP/InAs島/GaP構造を作製した。キャップ層に用いるGaPの最適成長温度とInAs島の最適作製温度の間に大きな温度差が存在するため、キャップ層の成長を行うにあたり3種類の異なる成長シーケンスを用いた。作製した試料の断面TEM観察を行った結果、キャップ層成長シーケンスが、埋め込まれたInAs島のサイズやキャップ層の結晶性に大きな影響を与えることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-05
著者
-
藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
藤原 康文
名大工
-
野々垣 陽一
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
-
渕 真悟
名古屋大学工学研究科
-
竹田 美和
名古屋大学
-
守屋 博光
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
野々垣 陽一
岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
-
渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
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