野々垣 陽一 | 岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
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概要
関連著者
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野々垣 陽一
岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
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藤原 康文
名大工
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藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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竹田 美和
名古屋大学
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野々垣 陽一
名古屋大学工学部材料機能工学科
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藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
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竹田 美和
名大工
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中村 新男
名大理工総研
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藤原 康文
名大院工
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竹田 美和
名大院工
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大山 忠司
阪大理
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中田 博保
阪大理
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野々垣 陽一
名大工
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宇理須 恒雄
岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
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浜中 泰
名大院工
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野々垣 陽一
名大院工
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中村 新男
名大院工
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伊藤 祐介
名古屋大学工学部材料教能工学科
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松原 直輝
名古屋大学工学部材料教能工学科
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渕 真悟
名古屋大学工学研究科
-
宇理須 恒雄
分子科学研究所 反応動力学部門
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伊藤 祐介
名古屋大学工学部材料機能工学科
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守屋 博光
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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大賀 涼
名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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松原 直輝
名古屋大学工学部材料機能工学科
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宇理須 恒雄
分子科学研究所
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野々垣 陽一
分子科学研究所
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大賀 涼
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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西脇 大介
名大院工
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清水 伸浩
阪大理
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渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
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佐藤 和郎
大阪府立産業技術総合研究所
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今井 俊昭
名古屋大学工学部材料教能工学科
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山内 武志
名古屋大学工学研究科応用物理学専攻
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山川 市朗
名大院工
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竹田 美和
名古屋大学大学院工学研究科
-
竹田 美和
名古屋大学小型シンクロトロン光研究センター
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浜中 泰
名大理工総研
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手老 龍吾
分子科学研究所
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佐藤 和郎
阪大理
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市田 正夫
名大理工総研
-
加藤 隆典
住友重機械工業kk
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藤田 敬次
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
BOLOTOV L.
名大理工総研
-
田名瀬 勝也
名古屋大学大学院工学研究科
-
羽立 等
名大理工総研
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山村 周作
総合研究大学院大学分子科学研究所
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山内 武志
名大理工総研
-
張 延平
住友重機械工業(株)
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宇理須 恒雄
総合研究大学院大学
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藤田 敬次
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
三澤 宣雄
総合研究大学院大学
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田名瀬 勝也
名大院工
-
大賀 涼
名大院工
-
山川 市朝
名大理工総研
-
大賀 涼
名大理工総研
-
野々垣 陽一
名大理工総研
-
藤原 康文
名大理工総研
-
竹田 美和
名大理工総研
-
野々垣 場一
名大工
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井口 直
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
三澤 宣雄
豊橋技術科学大学
-
山村 周作
総合研究大学院大学
著作論文
- TBP、TBAsを用いたOMVPE成長III-V族化合物半導体の特性に及ぼす水素流量の効果
- 30p-X-7 ホモエピタキシャルInPの界面層
- 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
- 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島GaP(001)構造の作製
- 放射光エッチングと有機金属選択エピタキシャル成長による半導体ナノ構造形成
- 26p-YR-9 InGaAs/InP多層量子井戸構造の断面STM観察
- TBPを用いたOMVPE法によるEr添加InPの成長と評価
- 放射光による物作り-ミクロンからナノへ-
- アンジュレータSTMビームラインを用いた水素終端Si(111)表面からの水素脱離観察
- SiO_2表面へのアビジン単分子層作製と脂質膜形成への応用
- 25pXD-6 In_Ga_AS/InP多重量子井戸の正孔緩和ダイナミクス
- 25aC-8 InP上の選択成長InGaAs量子構造のカソードルミネセンス
- 31a-ZG-12 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトルII
- 25a-YN-2 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトル
- 液滴ヘテロエピタキシーによるInP(001)上へのInAs島形成
- 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 31a-S-6 InGaAsの遠赤外光検知サイクロトロン共鳴