アンジュレータSTMビームラインを用いた水素終端Si(111)表面からの水素脱離観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2005-09-30
著者
-
宇理須 恒雄
分子科学研究所 反応動力学部門
-
野々垣 陽一
岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
-
宇理須 恒雄
岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
-
宇理須 恒雄
分子科学研究所
-
野々垣 陽一
分子科学研究所
関連論文
- TBP、TBAsを用いたOMVPE成長III-V族化合物半導体の特性に及ぼす水素流量の効果
- 放射光励起プロセス-現状と今後の課題-
- 30p-X-7 ホモエピタキシャルInPの界面層
- 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
- 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島GaP(001)構造の作製
- 放射光励起による表面光反応プロセス
- 赤外反射吸収分光法 - 放射光励起プロセスのその場観察 -
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収スペクトル法による放射光励起半導体プロセス反応のその場観察
- 放射光励起プロセス研究用多層膜ミラービームライン
- 高エネルギー光励起によるPZT(Pb(Zr_X, Ti_)O_3)の表面改質
- 放射光エッチングと有機金属選択エピタキシャル成長による半導体ナノ構造形成
- 26p-YR-9 InGaAs/InP多層量子井戸構造の断面STM観察
- TBPを用いたOMVPE法によるEr添加InPの成長と評価
- 放射光による物作り-ミクロンからナノへ-
- アンジュレータSTMビームラインを用いた水素終端Si(111)表面からの水素脱離観察
- SiO_2表面へのアビジン単分子層作製と脂質膜形成への応用
- 25pXD-6 In_Ga_AS/InP多重量子井戸の正孔緩和ダイナミクス
- 25aC-8 InP上の選択成長InGaAs量子構造のカソードルミネセンス
- 31a-ZG-12 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトルII
- 25a-YN-2 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトル
- 液滴ヘテロエピタキシーによるInP(001)上へのInAs島形成
- 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 学術としてのバイオインターフェイス
- 単色放射光励起によって堆積したAl膜組成の励起エネルギー依存性
- 渉外幹事この一年
- シンクロトロン放射光によるナノメートル加工と原子分子レベルでの反応評価
- 放射光励起プロセスの現状と将来展望
- 渉外幹事この一年
- 放射光Al-CVDにおけるサイトスペシフィック効果
- 高輝度X線源の利用技術-半導体プロセスへの応用-
- 表面光化学(VUV-11本会議報告)
- 31a-S-6 InGaAsの遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
- 多チャンネル神経細胞ネットワーク素子の開発