TBP、TBAsを用いたOMVPE成長III-V族化合物半導体の特性に及ぼす水素流量の効果

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概要

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V族原料としてTBPとTBAsを用いたInP、GaP、GaAsのOMVPE成長において、成長時の水素流量が成長層の表面モフォロジー、成長速度、電気的・光学的特性に与える影響について系統的に調べた。その結果、水素流量の増加とともに成長速度が境膜層理論に従って減少するものの、表珍モフォロジーが飛躍的に向上することが明らかになった。一方、成長層の電気的・光学的特性は水素流量に依存せず、膜厚の影響を強く受けることが明らかになった。水素流量の増加により表面モフォロジーが向上する機構については原料ガス流速の増加や、その密度の減少に関係して気相中での寄生反応が抑制されるというモデルにより議論した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-11-17

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