XAFSによる半導体ミクロ構造の解析と物性
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概要
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放射光を用いた蛍光EXAFS法が、半導体で通常の不純物レベルとして考えられる10^<18>cm^<-3>の濃度の原子でも、解析できる測定方法となっていることを紹介する。それと同時に、母体材料と不純物原子の組み合わせで、測定限界がそこまで行かない場合があることを示す。EXAFS法が本来持っている強みである「特定の原子周辺の局所構造」の測定対象に半導体中のEr原子を取り上げ、その局所構造が成長温度で大きく変わること、およびその局所構造がErの発光特性を決めていると解釈されることを述べる。GaAsにErとOを共添加すると、発光強度が数十倍に増大しかつ発光スペクトルが規則的で鋭い離散ピークとなることが分かっている。ここでも蛍光EXAFS法によりEr周辺の局所構造を解析することにより、2個のAsと2個のOがErに結合(配位)しており、Er周辺の局所構造が(第一近接に関しては)1種類に定まることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-12
著者
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