MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

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概要

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• MBE(molecular beam epitaxy)法によりEr添加GaAs(GaAs:Er)を低温成長させ、フォトルミネセンス(photoluminescence : PL)法による評価を行った。低温成長によりErAsの析出が抑制されることや、結晶中に取り込まれたErの原子位置が変化すること等で、発光強度が大きくなると期待した。Er添加濃度を変化した結果、2.2×10^<19>cm^<-3>の試料において最大のPL発光を得た。成長温度に関しては成長温度350℃の試料で最大のPL発光を得、この時の発光強度は成長温度590℃と比較して約30倍になり、低温成長させることによる発光強度の増大を確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-05-17

著者

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 小川 和男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田渕 雅夫

  名大vbl:jst Trip

• 田淵 雅夫

  名大工

• 槙 英信

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 園山 貴広

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 槇 英信

  名古屋大学大学院工学研究科

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

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