フェイスダインOMVPE法によるInP基板上へのErP成長

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概要

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• 我々は新たにフェイスダウンOMVPE装置を導入し、InP(001)基板上にErPの成長を行った。試料は原子間力顕微鏡(AFM)による表面観察により評価した。全ての試料においてInPバッファ層とは異なる表面が観察された。表面構造のTBP流量依存性を調べた結果、流量5sccmより30sccmの方が平坦な表面が得られた。また、成長温度依存性を調べた結果、500℃、550℃では山状の構造が、570℃では穴状の構造が観察された。さらに、500℃より550℃において、より高い山状の構造が形成されることがわかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-10-04

著者

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 山内 武志

  名古屋大学工学研究科応用物理学専攻

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 渡邊 直樹

  名大院工

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 磯貝 佳孝

  名大院工

• 渡邊 直樹

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 磯貝 佳孝

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 神野 真吾

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 山内 武志

  CREST-JST

• 中村 新男

  CREST-JST

• 神野 真吾

  名古屋大学大学院工学研究科

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