Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析
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概要
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半導体中に添加された希土類イオンからの発光を利用するためOMVPE法を用いてIII-V族化合物半導体に希土類を添加する研究が行われている。本研究室でもErをInPに添加する研究を行ってきた。今後この発光をデバイスに利用す引こは発光効率を更に増大することが必要である。これにはErを井戸層に添加した薄膜多層構造が有用である。この構造では閉じ込められたキャリアがEr^<3+>に供給され発光効率の増加が期待できるが、その実現にはヘテロ層への選択添加技術の発展及び、界面での結晶性や急峻性を評価することが非常に重要になる。本研究ではErをδドーピングしたInPを取り上げ放射光を用いたCTR (crystal truncation rod)散乱の測定によりヘテロ層の評価を行った。これにより、Er原子はNaCl構造のErPとして存在していることがけかった。また、試料深さ方向に1原子層の精度でEr原子の組成分布が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-24
著者
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
藤原 康文
名大工
-
松原 直輝
名古屋大学工学部材料教能工学科
-
藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
-
竹田 美和
名古屋大学
-
山田 直樹
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
山田 直樹
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
田淵 雅夫
名大工
-
藤田 敬次
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
一木 悟史
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
松原 直輝
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
藤田 敬次
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
一木 悟史
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
田渕 雅夫
名古屋大学
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