非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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本研究では非晶質Asマスクを用いて化合物半導体におけるヘテロ/量子構造デバイスの作製・集積を可能にする新しい真空一貫形成プロセスの確立を目的とした.具体的には,1)GaAs層上にマスクとして非晶質As膜を堆積し,電子線描画によってパターン形成を行い,2)マスク上に金属Inを堆積後,加熱によってGaAs中へのInの拡散とAs膜の昇華に伴うInのリフトオフを行う.このプロセスによってGaAs表面にパターンを持ったGalnAs層を形成することができる.本報告では,このプロセスに適した非晶質As膜の作製,電子線描画によるパターン形成,Inの拡散と非晶質Asマスクによるリフトオフの可能性について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-05-11
著者
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
-
竹田 美和
名古屋大学
-
田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
-
田淵 雅夫
名大工
-
山田 巧
名古屋大学大学院工学研究科
-
則竹 陽介
名古屋大学大学院工学研究科
-
山田 巧
光エレクトロニクス研究所
-
田渕 雅夫
名古屋大学
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