山田 巧 | 名古屋大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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山田 巧
名古屋大学大学院工学研究科
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山田 巧
光エレクトロニクス研究所
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名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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藁科 秀男
仙台電波工業高等専門学校
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鈴木 哲
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水野 皓司
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張 仁治
理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
著作論文
- 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
- 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
- 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究
- 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- THz帯用低雑音ショットキバリアダイオードの製作プロセスと界面評価
- THz帯低雑音ショットキ・バリア・ダイオードの開発
- THz帯低雑音ショットキ・バリア・ダイオードの開発
- THz帯低雑音ショットキ・バリア・ダイオードの開発
- サブミクロン径ショットキ・バリア・ダイオードの研究開発 -サブミリ波帯のデバイス及び金属/半導体界面評価の新しい手段-