竹田 美和 | 名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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概要
関連著者
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竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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宇治原 徹
名大工
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
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竹田 美和
名古屋大学
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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渕 真悟
名古屋大学工学研究科
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渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
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宇治原 徹
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
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中西 彊
名古屋大学 理学部 理博
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中川 靖英
名古屋大学・大学院理学研究科
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金 秀光
名大工
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山本 将博
KEK
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竹田 美和
名大工
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山本 尚人
KEK
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山本 尚人
名大工
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坂 貴
大同工大
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加藤 俊宏
大同特殊鋼
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越川 孝範
大阪電通大エレクトロニクス基礎研
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山本 将博
名古屋大学理学研究科
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金 秀光
名古屋大学工学研究科
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谷奥 雅俊
名古屋大学工学研究科
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坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
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越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
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奥見 正治
名古屋大学・大学院理学研究科
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真野 篤志
名古屋大学・大学院理学研究科
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安江 常夫
大阪電通大
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越川 孝範
大阪電通大
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科
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生田 博志
名大工:jst Trip
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野
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川口 昂彦
名大・工
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Horinaka Hiromichi
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
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Horinaka Hiromichi
Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University
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田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
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田淵 雅夫
名大工
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川口 昴彦
名大工:jst Trip
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奥見 正治
名古屋大学 理学部
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安江 常夫
大阪電通大工
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田渕 雅夫
名大VBL
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竹中 康司
名大工
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生田 博志
名大工
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山本 尚人
名古屋大学大学院 工学研究科
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山本 尚人
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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中西 彊
名古屋大学大学院理学研究科
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中西 彊
名古屋大学理学研究科
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川口 昂彦
名大工
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大野 俊也
名大工
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安江 常夫
大阪電気通信大学
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前多 悠也
名古屋大学工学研究科
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坂 貴
大同工業大学工学部
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堀中 博道
大阪府立大学
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加藤 鷹紀
名古屋大学大学院工学研究科
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酒井 良介
名古屋大学大学院理学研究科
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前田 義紀
名古屋大学大学院工学研究科
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宇木 大輔
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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山口 岳宏
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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田中 雄太
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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上村 彦樹
名大工:jst Trip
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川口 昂彦
名大工:jst Trip
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桑原 真人
名古屋大学・大学院理学研究科
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鈴木 雅彦
大阪電通大
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孝橋 照生
日立中研
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大嶋 卓
日立中研
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堀中 博道
阪府大工
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上村 彦樹
名大工
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生田 博志
名大・工
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宇治原 徹
名大・工
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堀中 博道
大阪府立大学大学院工学研究科
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渡邉 諒太郎
Jst-trip:名大工
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田渕 雅夫
名大SRC
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加藤 政博
IMS
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大石 一城
理研仁科セ
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中村 新男
名大院工
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伊藤 孝寛
UVSOR
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永嶺 謙忠
理研
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八木 伸也
名大院工
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八木 伸也
名古屋大学大字院工学研究科
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八木 伸也
名大工
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鳥養 映子
山梨大医工
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伊藤 孝寛
名大工
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曽田 一雄
名大院工
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Buehler P.
SMI
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下村 浩一郎
高エネ研
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下村 浩一郎
高エネルギー加速器研究機構
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前田 京剛
東大院総合
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今井 良宗
東大院総合
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石田 勝彦
理研
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高嶋 圭史
名古屋大学大学院 工学研究科
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保坂 将人
名古屋大学大学院 工学研究科
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曽田 一雄
名古屋大学大学院 工学研究科
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伊藤 孝寛
東北大院理
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永嶺 謙忠
東大理
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鳥養 映子
山梨院医工
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鳥養 映子
山梨大工
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伊藤 貴文
名大院工
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竹内 恒博
名古屋大学工学部:名古屋大学エコトピア科学研究所
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竹内 恒博
名古屋大学エコトピア科学研究所
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保坂 将人
名大院工
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加藤 政彦
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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下村 浩一郎
KEK物構研
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曽田 一雄
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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伊藤 孝寛
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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竹田 美和
名大院工
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白木 一郎
山梨大医工
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Bacule Pavel
理研
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坂 貴
大同大工
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加藤 俊宏
大同大工
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横山 浩司
理研
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Tom Harry
UCRiverside
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Kawakami Roland
UCRiverside
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Pratt Francis
RAL-ISIS
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鍋島 冬樹
東大院総合
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永嶺 兼忠
高エ機構物構研
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大西 宏幸
名大院工
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永峰 謙忠
理研中間子
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上村 彦樹
名大・工
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大野 俊也
名大・工
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渡邉 諒太郎
名大・工
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竹中 康司
名大・工
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竹田 美和
名大・工
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李 祐植
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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三宅 信輔
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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小泉 淳
名大院工
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保坂 将人
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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渡邉 信久
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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加藤 政博
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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桜井 郁也
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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原 玲丞
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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高嶋 圭史
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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宮本 佐和子
東大理
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増田 塁
農工大院・工
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新家 寛正
東北大・理
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古谷 優貴
東北大・多元研
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田中 秀彦
東北大院
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宇治原 徹
名大院・工
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竹田 美和
名大院・工
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Buehler Paul
SMI
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Bakule Pavel
理研
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田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
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永嶺 謙忠
高エネルギー加速器研究機構理化学研究所
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鳥養 映子
山梨大医工研
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鳥養 映子
パリ会議準備委員会アンケート分析グループ:山梨大工
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渡辺 諒太郎
名大工
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山田 浩臣
名大工
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八木 伸也
名古屋大学工学研究科
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永嶺 健忠
高エ研物構研:理研
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山田 巧
名古屋大学大学院工学研究科
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則竹 陽介
名古屋大学大学院工学研究科
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八木 伸也
名古屋大学 工学研究科 量子工学専攻
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山田 巧
光エレクトロニクス研究所
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八木 伸也
広大理
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渡辺 諒太郎
名大工:jst-trip
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Takeuchi Tsunehiro
Ecotopia Science Institute Nagoya University
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大石 一城
理研
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田渕 雅夫
名大SRC:JST TRIP
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坂上 彰啓
名大工
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鍋島 冬樹
東大院総合:JST TRIP
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坂上 彰啓
名大工:JST TRIP
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宇治原 徹
名大工:JST TRIP
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永峰 謙忠
KEK
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永嶺 謙忠
理研:カリフォルニア大学:KEK
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坂上 彰啓
名大・工
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森 康博
名大・工
-
角谷 直紀
名大・工
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竹田 美和
科技交流財団
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前田 京剛
東大院総合:JST TRIP
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田渕 雅夫
名古屋大学
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竹田 美和
公益財団法人 産業科学技術交流財団 あいちシンクロトロン光センター
著作論文
- 23aHW-6 ミュオニウムスピン交換法による半導体(Si,GaAs)中の伝導電子スピン偏極測定(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子(量子ドットの使い方)
- 20aGH-5 MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価(20aGH FeAs系超伝導(輸送特性など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 中部シンクロトロン光利用施設の建設がスタート
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 26aPS-108 MBE法による鉄ヒ素系薄膜の作製(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 学会参加補助受領者の言葉 : NCCG-40およびICCG-16/ICVGE-14学生参加費支援について(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
- NCCG-40 in北京(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
- 26aXL-6 GaInP(001)面上ErP超薄膜の磁気伝導特性と反強磁性的振る舞い(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 28aRH-8 LnFeAs(O,F)(Ln:ランタノイド)のLnサイト固溶効果(鉄系超伝導体7(圧力効果・構造など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 23pWH-4 MBE法によるLnFeAs(O,F)超伝導薄膜(Ln=La,Nd)の成長と物性評価(23pWH 鉄砒素系超伝導(伝道・磁化・熱),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 新編集長より
- 赤崎勇名誉会員のIEEEエジソン・メダルの受賞(学界ニュース)
- 超高輝度・高偏極・長寿命スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発とスピントロニクス薄膜材料への応用 (特集 微細構造物の磁気的な可視化)
- 超高輝度・高偏極・長寿命スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発とスピントロニクス薄膜材料への応用
- 24pYA-2 BaFe_2(As,P)_2薄膜のテラヘルツ伝導度測定(24pYA 鉄硫素系2(122系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 日本結晶成長学会会長退任のご挨拶
- 18pFF-1 鉄系超伝導体薄膜の粒界接合特性(18pFF 鉄砒素系1(122系:置換効果・その他,理論),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))