日本結晶成長学会会長退任のご挨拶
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2013-04-00
著者
関連論文
- 23aHW-6 ミュオニウムスピン交換法による半導体(Si,GaAs)中の伝導電子スピン偏極測定(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子(量子ドットの使い方)
- 20aGH-5 MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価(20aGH FeAs系超伝導(輸送特性など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 中部シンクロトロン光利用施設の建設がスタート
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 26aPS-108 MBE法による鉄ヒ素系薄膜の作製(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 学会参加補助受領者の言葉 : NCCG-40およびICCG-16/ICVGE-14学生参加費支援について(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
- NCCG-40 in北京(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
- 26aXL-6 GaInP(001)面上ErP超薄膜の磁気伝導特性と反強磁性的振る舞い(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 28aRH-8 LnFeAs(O,F)(Ln:ランタノイド)のLnサイト固溶効果(鉄系超伝導体7(圧力効果・構造など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 23pWH-4 MBE法によるLnFeAs(O,F)超伝導薄膜(Ln=La,Nd)の成長と物性評価(23pWH 鉄砒素系超伝導(伝道・磁化・熱),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 新編集長より
- 赤崎勇名誉会員のIEEEエジソン・メダルの受賞(学界ニュース)
- 超高輝度・高偏極・長寿命スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発とスピントロニクス薄膜材料への応用 (特集 微細構造物の磁気的な可視化)
- 超高輝度・高偏極・長寿命スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発とスピントロニクス薄膜材料への応用
- 24pYA-2 BaFe_2(As,P)_2薄膜のテラヘルツ伝導度測定(24pYA 鉄硫素系2(122系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 日本結晶成長学会会長退任のご挨拶
- 18pFF-1 鉄系超伝導体薄膜の粒界接合特性(18pFF 鉄砒素系1(122系:置換効果・その他,理論),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))