Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 我々はEr,O共添加GaAsへの1.5μm帯における電流注入によるレーザ発振を目指している。しかし、現状ではErからの1.5μm帯の発光は非常に弱い。その原因の一つとして、活性層に用いるEr,O添加GaAsにおけるキャリアの拡散長が短いため、発光再結合が効率よく行われていないことが考えられる。そこで、光ガイド層をそのままに活性層厚をキャリアの拡散長程度まで薄くした分離閉じ込め構造により発光強度増大を試みた。その結果、発光強度が約3倍増大した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-05-17

著者

• 宇治原 徹

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宇治原 徹

  名大工

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 渕 真悟

  名古屋大学工学研究科

• 宇治原 徹

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 宇木 大輔

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 山口 岳宏

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 田中 雄太

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 渕 真悟

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宇治原 徹

  名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野

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