液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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InP(001)基板に格子整合したGalnAsPやAlInAs上への液滴ヘテロエピタキシーによりInAs量子ドットを作製した。 In液滴の形成時にTMIn供給時間を変化させたところ、その成長過程にInP上のInAs量子ドットとの相違が見られた。 InP上では全ての供給時間において小さいドットと同時にドット同士の合体により大きなドットも形成された。一方、GalnAsPやAlInAs上では短時間の供給においてInAs量子ドットの合体が抑制され、小さなドットのみを得ることができた。室温でのフォトルミネセンスと電流注入により発光特性を評価し、InAsドットからの超広帯域の発光を観測した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
藤原 康文
名大工
-
藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
-
竹田 美和
名古屋大学
-
李 祐植
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
藤原 康文
大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻
-
大賀 涼
名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
吉田 義浩
名古屋大学大学院工学研究科
-
大賀 涼
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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