減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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pn制御したGaInP/Er,O共添加GaAs/GaInP構造を有機金属気相エピタキシャル法により作製し、その電流注入による発光特性を評価した。Er添加には原料にEr(i-PrCp)_3を、酸素添加にアルゴンで希釈した^18O_2を用いた。GaAs:Er,O層とGaInP層は、両者の界面での中間層の形成を抑制するために、ともに540℃で成長した。SIMS測定による深さプロファイルからErは活性層にあたる深さの範囲のみに選択的に添加され、その濃度分布は活性層内で均一であることがわかった。活性層でのEr濃度は、8×10^18cm^-3程度であった。室温EL測定から、1.54μm帯に鋭いEr-2Oの発光線が観測され、GaAs:Er,O層に電流注入したキャリアによるEr-2O発光中心の励起とその発光を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-05-17
著者
-
藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
藤原 康文
名大工
-
藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
-
竹田 美和
名古屋大学
-
小泉 淳
名大院工
-
小泉 淳
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科
-
吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科
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