GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
全有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法によって作製されたGalnP/GaAs界面は、AsとP原子の置換やInのメモリ効果により、良質なヘテロ界面を得ることは困難である。77Kにおけるフオトルミネツセンス(PL)測定において、GaAsバンド端より長波長側にブロードな発光が観測される。この発光はGaInP上に成長されたGaAs界面に起因しており、成長温度を550℃以下にすることで消失した。界面の成長温度を540℃としたGalnP/GaAs/GalnPレーザの閥値電流密度は、界面を580℃で成長したレーザよりも低く、素子間のばらつきも小さいことが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
藤原 康文
名大工
-
小泉 淳
名大院工
-
藤原 康文
大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻
-
井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科
-
吉兼 豪勇
GalnP
-
小泉 淳
GaAs
-
藤原 康文
GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性
-
浦上 晃
GalnP
-
井上 堅太郎
GaAs
-
竹田 美和
GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性
-
浦上 昇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科
-
小泉 淳
GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性
-
井上 堅太郎
GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性
関連論文
- スパッタリング併用有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加ZnOの作製とその発光特性
- 有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加窒化ガリウムの成長温度依存性
- GaNを利用した赤色発光ダイオード--世界初Eu添加GaNによる赤色LED (特集 紫外-可視-赤外 最新半導体光源の可能性)
- Eu添加GaN赤色発光ダイオードの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性
- TBP、TBAsを用いたOMVPE成長III-V族化合物半導体の特性に及ぼす水素流量の効果
- 13pTG-6 MOVPE 成長で作製した ErP/InP 中の残留不純物分析と電気特性(放射線物理 : イオンビーム・放射線検出器, 領域 1)
- 26aXL-6 GaInP(001)面上ErP超薄膜の磁気伝導特性と反強磁性的振る舞い(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 希土類添加半導体の現状と将来展望
- 30p-X-7 ホモエピタキシャルInPの界面層
- 28a-YM-7 InP中の電子サイクロトロン共鳴と不純物吸収
- 31pYH-15 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明
- 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
- 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島GaP(001)構造の作製
- 14aYC-1 希釈磁性半導体 GaAs : Er, O 及び Zn 共添加 GaAs : Er, O, Zn の X-band ESR 測定(磁性半導体, 領域 4)
- 3a-G-12 ポーラスSiの可視発光
- 31p-M-2 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンスIV
- 25a-ZG-11 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス III
- 30p-W-9 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス II
- 24pC-8 ESRによる酸素共添加InP:Erの電子状態の解析
- 28p-YN-7 ESRによるInP:Erの電子状態の解析
- Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析
- III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- フォトルミネッセンス法によるGaAs中の遷移金属の評価
- 12pPSA-7 半金属量子井戸 ErP/GaInP/GaAs 共鳴トンネルダイオードの負性微分抵抗(領域 4)
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 27pYA-12 X-band ESRによるGaAs:Er,Oの発光中心の解明III(磁性半導体)(領域4)
- 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
- 21pTH-8 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明 II
- InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III
- InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- 25a-YE-11 InP基板上の半金属ErP島構造の量子サイズ効果
- Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
- Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
- Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
- TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
- TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
- 31p-PSB-29 RBS-channeling法を用いたδ-doped InPの構造解析
- InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
- InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
- InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製
- ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製
- フェイスダウンOMVPE法により作製したInP上のErP成長形態の基板面方位依存性 : エピキタシャル成長III
- フェイスダインOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
- フェイスダウンOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
- 固相反応によるバルクβ-FeSi_2結晶生成用ロッド状整列共晶組織の形成とその方位解析(半導体エレクトロニクス)
- 28pTB-8 InP(001)面におけるErPの成長と表面構造
- 26p-YR-9 InGaAs/InP多層量子井戸構造の断面STM観察
- 有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III
- OMVPE法によるEr,O共添加GaAs/GaInPDH構造発光ダイオードの作製とその発光特性 : エピキタシャル成長III
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- TBPを用いたOMVPE法によるEr添加InPの成長と評価
- OMVPE法によりInP中に添加したEr原子周辺の局所構造 : 蛍光EXAFS法による解析
- 蛍光 EXAFS 法による InP 中に均一ドープした Er 原子周囲の局所構造解析
- 25pXD-6 In_Ga_AS/InP多重量子井戸の正孔緩和ダイナミクス
- 25aC-8 InP上の選択成長InGaAs量子構造のカソードルミネセンス
- 31a-ZG-12 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトルII
- 25a-YN-2 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトル
- 液滴ヘテロエピタキシーによるInP(001)上へのInAs島形成
- 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 28pYF-3 InGaP/GaAs ヘテロ接合における赤外発光
- 高温超伝導体のルミネッセンス評価
- 超伝導セラミックスEr_1Ba_2Cu_3O_yの酸素ストイキオメトリー
- 希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開 : 結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製
- 17pTG-1 ESRによるGaAs:Dyの電子状態の解析
- 28aTB-5 ESRによる酸素共添加Ga As; Erの電子状態の解析III
- 23pSB-13 ESRによる酸素共添加GaAs;Erの電子状態の解析II
- 22aK-13 ESRによる酸素共添加GaAs;Erの電子状態の解析
- Edge-Light Backlight Unit Using Optically Patterned Film
- Edge-light backlight unit using optically patterned film with plural light-emitting diodes placed on side as light source
- Room-Temperature Operation of Injection-Type 1.5μm Light-Emitting Diodes with Er, O-Codoped GaAs (Special Issue on Narrow and Wide-Bandgap Semiconductor Materials)
- 18aPS-20 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス II
- 27aYA-5 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス
- 31a-S-6 InGaAsの遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
- 常温超伝導をめぐる動き
- 8p-B-9 Formation of ErP islands on InP(001)surface by OMVPE
- OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- 高温超伝導バルクおよび薄膜からのカソードルミネッセンス
- ＴＥＧａ，ＴＢＡｓを用いた有機金属気相エピタキシャル法による低温ＧａＡｓの作製
- 6pSL-3 ESRによるZnドープGaAs:Er,Oの電子状態の解析II(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)