Ga_xIn_<1-x>P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性

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概要

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• OMVPE法により作製されたEr添加GaInP(GaInP:Er)において観測されるEr発光特性のGa組成依存性を系統的に調べた。GaPおよびInP基板上に成長したGaInPでは、Ga組成の増加に対してスペクトル形状の変化は見られないが、発光強度は増大した。この振舞いはEr発光寿命にも反映されており、Ga組成により発光効率が変化することが明らかになった。Er発光の温度消光はすべてのGaInP:Erにおいて観測された。その度合いはGa組成に依存し、Ga組成の増加に伴い温度消光は小さくなった。発光寿命の測定温度依存性をも踏まえて、Er発光機構について考察を行った。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-05-22

著者

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 伊藤 隆

  名古屋大学医学部内科学第一講座

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 中村 新男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 川本 武司

  名大院工

• 伊藤 隆

  名大院工

• 中村 新男

  名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科

• 山川 市朗

  名古屋大学大学院工学研究科

• 川本 武司

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 市田 正夫

  名古屋大学理工科学総合研究センター

• 渡邉 修

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

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