低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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これまでに低温分子線エピタキシャル法により作製したEr添加GaAs(GaAs:Er)は1.5μm付近で発光強度が増大することをフォトルミネセンス(photoluminescence:PL)法により見いだしてきた。今回は低温(330℃)で成長したGaAs:Erを活性層とし、AlGaAs/GaAs:Er/AlGaAs DH構造を作製することでさらなる発光強度の増大を観測し、さらに電流注入により室温でGaAs:Erからの発光を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
藤原 康文
名大工
-
藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
-
竹田 美和
名古屋大学
-
小泉 淳
名大院工
-
小泉 淳
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
小川 和男
名古屋大学大学院工学研究科
-
田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
-
田淵 雅夫
名大工
-
森 敬洋
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
井上 大那
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
槇 英信
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
槇 英信
名古屋大学大学院工学研究科
-
吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科
-
田渕 雅夫
名古屋大学
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