歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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高偏極度・高量子効率の偏極電子源には半導体歪み起格子構造が有効である。我々は、さらなる量子効率の向上を目指し、歪み補償構造を採用することで結晶性の改善を行なった。その結果、量子効率は向上したが、逆に偏極度は減少した。起格子構造から電子が励起される場合、量子効率の励起光エネルギー依存性は状態密度を反映し、階段伏に変化する。 しかし、歪み補償構造においては、このような特徴が見られず、さらにバンド構造の計算などから考察したところ、偏極度減少の理由がバッファ層から低偏極度の電子の流入にあることがわかった。そこでバッファ層と超格子層の間に、障壁層を挟むことでバッファ層からの低偏極電子の流入を抑制したところ、偏極度改善の傾向が見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-17
著者
-
宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
-
中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
-
中川 靖英
名古屋大学・大学院理学研究科
-
金 秀光
名大工
-
宇治原 徹
名大工
-
山本 将博
KEK
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
-
中西 彊
名古屋大学大学院理学研究科
-
山本 将博
名古屋大学理学研究科
-
金 秀光
名古屋大学工学研究科
-
谷奥 雅俊
名古屋大学工学研究科
-
渕 真悟
名古屋大学工学研究科
-
宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学
-
加藤 鷹紀
名古屋大学大学院工学研究科
-
酒井 良介
名古屋大学大学院理学研究科
-
前田 義紀
名古屋大学大学院工学研究科
-
渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
-
中西 彊
名古屋大学理学研究科
-
中西 彊
名古屋大学 理学部 理博
-
宇治原 徹
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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