歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
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概要
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Spin polarized electrons are obtained by irradiating GaAs crystal with circularly polarized photons which excite electrons from the top of the valence band to the conduction band. The maximum polarization obtainable by bulk (unstrained) GaAs is limited to 50% due to the degeneracy in the valence band. The degeneracy is removed by strains and from strained GaAs layer, polarization of 100% is expected. High polarization was obtained using a GaAs layer grown heteroepitaxially on GaAsP thick layer, where the GaAs layer is under compressive strain along the surface because of the lattice mismatch between the two layers. The polarization of 80% is obtained when the strain of 0.5% is induced in the GaAs layer, the amount of the band splitting of the valence band corresponding to 35meV. The developed spin polarized electron sources have been applied to accelerators for high energy physics and have a wide applicability to solid state physics.
- 大同工業大学の論文
著者
-
中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
-
奥見 正治
名古屋大学・大学院理学研究科
-
坂 貴
大同工大
-
加藤 俊宏
大同特殊鋼
-
坂 貴
大同工業大学工学部
-
坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
-
加藤 俊宏
大同工業大学工学研究科
-
堀中 博道
大阪府立大学
-
堀中 博道
大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野
-
奥見 正治
名古屋大学 理学部
-
中西 彊
名古屋大学 理学部 理博
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