29p-YS-1 リニアコライダーのためのスピン偏極電子銃の作製(1)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-03-17
著者
-
奥見 正治
名古屋大学・大学院理学研究科
-
奥見 正治
名古屋大学理学部
-
Togawa K.
名古屋大学理学部
-
Nakahara K.
名古屋大学理学部
-
Sugo K.
名古屋大学理学部
-
Suzuki C.
名古屋大学理学部
-
Takahashi C.
名古屋大学理学部
-
Nakanishi T.
名古屋大学理学部
-
Matumoto H.
KEK
-
Takeuchi Y.
KEK
-
Yoshioka M.
KEK
-
Nishitani K.
ATC
-
奥見 正治
名古屋大学 理学部
関連論文
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30a-D-5 リニアコライダーに用いるマルチバンチ偏極電子ビームの生成実験
- 30a-SK-3 リニアコライダーに用いる偏極電子源の開発III
- 29a-C-2 リニアーコライダーの為の超格子半導体による偏極電子源の開発VI
- 24aXM-8 RF電子銃におけるCsTe陰極の電子放出特性とその安定化(リニアコライダー・RFガン,新領域)
- 24aXM-7 電子源ビーム用シミュレーションコードの開発(リニアコライダー・RFガン,新領域)
- 30a-D-6 ELSA(Bonn大学)における偏極電子ビームの生成と加速実験
- 27aZB-5 高輝度電子源のためのGaAs光カソードの性能測定(27aZB ビーム源・ビーム診断,ビーム物理領域)
- 25aXM-3 NEA-GaAsフオトカソードを用いた低エミッタンス電子源開発の現状(新領域シンポジウム 主題 : 高輝度電子ビーム源,新領域)
- 27pZR-4 200keV偏極電子ビームのエミノタンス測定(粒子源)(新領域)
- 27pZR-2 スピン偏極電子源のフォトカソード長寿命化(粒子源)(新領域)
- 1p-H-9 3.5GeVPD弾性散乱におけるアナライジングパワーの測定
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スピン偏極電子源
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 新しいスピン偏極電子線源とその応用
- 歪み格子半導体における光励起電子のスピン偏極と緩和
- 偏極電子線陰極格子ＧａＡｓのスピン依存性発光
- 29p-YS-1 リニアコライダーのためのスピン偏極電子銃の作製(1)
- 31p-AD-1 π^-P弾性散乱実験のターゲット・システム
- 31p-AD-2 3^He-4^He Dilution Cryostatの製作とテスト
- 30p-J-7 Stained GaAsによるスピン偏極電子源の開発 II
- 30a-SG-3 GaAs型偏極電子源の開発 I
- 1a-SC-1,2,3 π^+,π^0中間子光発生における標的非対称度の角分布測定 I〜III
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 6a-F-10 核子のスピン構造 : SMCの新データとBjorken和則
- 30p-J-5 SMC偏極ターゲット(2)
- 30p-J-4 SMC偏極ターゲット(1)
- 30p-J-2 核子のスピン依存構造関数の測定I
- 歪んだGaAs薄膜のスピン緩和時間の測定
- 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
- 29p-W-9 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発 IV
- 30p-J-3 SMC実験 : 測定系について
- 28pGAB-1 次世代ERL光源のための500kV光陰極電子銃開発(28pGAB 企画講演,レーザープラズマ・ビーム応用,ビーム物理領域)