30a-SG-3 GaAs型偏極電子源の開発 I

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1990-09-12

著者

• 中西 彊

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 奥見 正治

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 堀中 博道

  阪府大工

• 堀川 直顕

  名大理工総研

• 岩田 高広

  名大理

• 中西 彊

  名大理

• 奥見 正治

  名大理

• 青柳 秀樹

  名大理

• 津幡 充

  名大理

• 中村 真介

  名大理

• 堀川 直顕

  中部大工

• 堀川 直顕

  名大理工科学総合研究センター

• 堀中 博道

  大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野

• 神谷 芳弘

  豊田工大

• 中村 真介

  ボン大

• 堀川 直顕

  名大理

関連論文

• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pYR-7 低エネルギーD^^→(d^^→,p)反応のための偏極重陽子標的装置の開発
• 23aSC-2 VMEによるNMR信号のDAQシステムの開発
• 23aSC-1 偏極核融合反応断面面積測定のための偏極重陽子標的用クライオスタット
• 26pSM-3 MAMIでの陽子のGDH和則に関する測定IV
• 26pSM-2 照射重陽子化ポリエチレンの偏極度測定II
• 31p-YA-4 照射重陽子化ポリエチレンの偏極度測定
• 29a-YB-10 COMPASS実験用シンチレーションファイバートラッカーの開発
• 6p-A-8 重陽子的偏極度の磁場依存性
• 2a-B-2 MAMIでの陽子のGDH和則に関する測定I
• 2a-B-1 SMC実験におけるNLO QCD Analysis
• 30a-D-2 シンチレーションファイバーを用いたγ線ビームプロファイルモニターの開発
• 30a-D-1 重陽子標的偏極度の磁場依存性
• 23p-F-7 GeV領域偏極重陽子による中間子生成II
• 20p-G-10 SPring-8における逆コンプトンγ線ビームプロファイルモニターの開発
• 31p-YR-4 SMC実験による核子からのSemi-inclusive生成ハドロンのスピン非対称度測定
• 29p-YS-8 SPring-8における逆コンプトンγ線生成のレーザーシステムII
• 6p-B-8 高分子化合物試料を用いた偏極標的の開発
• 30a-D-5 リニアコライダーに用いるマルチバンチ偏極電子ビームの生成実験
• 6p-B-4 リニアコライダーに用いる偏極電子源の開発IV
• 30a-SK-3 リニアコライダーに用いる偏極電子源の開発III
• 29a-C-2 リニアーコライダーの為の超格子半導体による偏極電子源の開発VI
• 1p-ZN-2 JLCのための超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発IV
• 5p-A-9 JLCのための超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発
• 27a-ZB-7 超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発I
• 31p-YA-6 SPring8でのGDH和則検証実験のシミュレーション
• 31a-YB-6 SPring8でのレーザ電子光実験のためのレーザシステム
• 動的スピン偏極ターゲットの高周波変調効果
• 24aXM-8 RF電子銃におけるCsTe陰極の電子放出特性とその安定化(リニアコライダー・RFガン,新領域)
• 24aXM-7 電子源ビーム用シミュレーションコードの開発(リニアコライダー・RFガン,新領域)
• 30a-D-6 ELSA(Bonn大学)における偏極電子ビームの生成と加速実験
• 27aZB-5 高輝度電子源のためのGaAs光カソードの性能測定(27aZB ビーム源・ビーム診断,ビーム物理領域)
• 25aXM-3 NEA-GaAsフオトカソードを用いた低エミッタンス電子源開発の現状(新領域シンポジウム 主題 : 高輝度電子ビーム源,新領域)
• 27pZR-4 200keV偏極電子ビームのエミノタンス測定(粒子源)(新領域)
• 27pZR-2 スピン偏極電子源のフォトカソード長寿命化(粒子源)(新領域)
• 1p-H-9 3.5GeVPD弾性散乱におけるアナライジングパワーの測定
• 30p-D-2 π^-P荷電交換反応におけるπ^+π^-η系(1、4〜1、9GeV領域)の研究
• 1a-R-8 350Mev電子線によるチャネリング放射光III
• 11p-G-9 350MeV電子線によるチャネリング放射光II
• 2a-R-9 350MeV電子線によるチャネリング放射光
• 27p-GG-11 K^+P Reactions at 11GeV/c Using LASS
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スピン偏極電子源
• 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
• 新しいスピン偏極電子線源とその応用
• 歪み格子半導体における光励起電子のスピン偏極と緩和
• 偏極電子線陰極格子ＧａＡｓのスピン依存性発光
• 29p-YS-1 リニアコライダーのためのスピン偏極電子銃の作製(1)
• スピン電子顕微鏡の実用化をめざして
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 31p-AD-1 π^-P弾性散乱実験のターゲット・システム
• 31p-AD-2 3^He-4^He Dilution Cryostatの製作とテスト
• 30p-J-7 Stained GaAsによるスピン偏極電子源の開発 II
• 30a-SG-3 GaAs型偏極電子源の開発 I
• 1a-SC-1,2,3 π^+,π^0中間子光発生における標的非対称度の角分布測定 I〜III
• 4p-Y-4 名大グループで建設中の偏極陽子ターゲット
• 2p-E-2 γP→π^+n反応の偏極ターゲットによるAsymmetryの測定(II)
• 2p-E-1 γP→π^+n反応の偏極ターゲットによるAsymmetryの測定(I)
• 17p-A-7 エネルギー領域kr=500〜750Mev.発生角θ^_π=68°でのCH_2とCからのπ^+光発生実験について
• 16p-A-4 偏極陽子標的用He^^4クライオスタットの製作
• 7a-A-9 γ線によるLMN結晶の偏極度の減少
• J-2 光アシスト弾性定数イメージング法を用いた組織診断のための基礎実験(医用超音波1)
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高スピン偏極度/高輝度・電子ビーム源
• 17pRG-15 GaAs-GaAsP超格子におけるSurface-Photovoltage効果
• 6a-F-10 核子のスピン構造 : SMCの新データとBjorken和則
• 30p-J-5 SMC偏極ターゲット(2)
• 30p-J-4 SMC偏極ターゲット(1)
• 30p-J-2 核子のスピン依存構造関数の測定I
• 歪んだGaAs薄膜のスピン緩和時間の測定
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 歪んだGaAs薄膜を用いたスピン偏極電子線源
• スピン偏極電子ビーム源の開発物語--リニアコライダーでの実用化を目指して
• S. Y. Lee, Spin Dynamics and Snakes in Synchrotrons, World Scientific, Singapore and New Jersey, 1997, xiv+186p., 22.5×15.5cm, \7,200 [大学院向, 専門書]
• 29a-C-4 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発V
• 29p-W-9 Strained GaAs によるスピン偏極電子源の開発 IV
• 共鳴吸収型スピン偏極電子線源 (電子・機能材料)
• 1p-ZN-1 リニアーコライダーに用いる偏極電子源の開発 II
• 5p-A-8 Stained GaAs によるスピン偏極電子源の開発 III
• 5p-A-7 高エネルギー加速器用スピン偏極電子源の開発 I
• 歪んだGaAs薄膜を用いた偏極電子線源 (エレクトロニクス材料)
• 27a-ZB-8 Strained GaAsによるスピン偏極電子源の開発I
• 29a-SG-8 GaAs型偏極電子源の開発II
• 4p-D-3 Kγ=0.3〜1.05GeVに於る偏極陽子標的よりのπ^+,π^0光発生
• 6p-C-15 「50MeV陽子-陽子散乱のスピン相関係数Axx及びAggの測定」
• 得意技を持ち寄る共同開発
• 23pYC-2 スピン偏極電子ビーム源
• 30p-J-3 SMC実験 : 測定系について
• 共鳴吸収型スピン偏極電子線源
• 28pGAB-1 次世代ERL光源のための500kV光陰極電子銃開発(28pGAB 企画講演,レーザープラズマ・ビーム応用,ビーム物理領域)
• 歪んだGaAs薄膜を用いた偏極電子線源
• 超高輝度・高偏極・長寿命スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発とスピントロニクス薄膜材料への応用
• 25pGE-2 次世代ERL光源のための500kV光陰極電子銃開発(25pGE ビーム物理領域シンポジウム:次世代放射光源への期待,ビーム物理領域)
• 26aBA-1 次世代ERL光源のための500kV光陰極電子銃ビーム生成試験(26aBA 電子ビーム源・ビームダイナミクス,ビーム物理領域)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク