GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
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概要
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我々は、これまでにGaAs/GaAsP歪み超格子構造によりスピン偏極電子源を作製し、世界最高となる92%の偏極度を実現してきた。しかし、量子効率については0.5%と十分ではなかった。本研究では、グレーディッドバッファ層と歪み補償構造の採用により、GaAs/GaAsP歪み超格子構造の結晶性の改善を行うことで、量子効率の改善を目指した。これらの構造を採用することで、ミスフィットに起因する欠陥が減少し、また、超格子構造の周期性も改善された。その結果、量子効率は最高で5.2%へ大幅に向上したが、逆に偏極度は極端に減少した。これに対しては、超格子構造の層厚を大きくすることで、ある程度偏極度が改善された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-05-11
著者
-
宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
-
中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
-
宇治原 徹
名大工
-
山本 将博
KEK
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
中西 彊
名古屋大学大学院理学研究科
-
山本 将博
名古屋大学理学研究科
-
安井 健一
名古屋大学理学研究科
-
竹田 美和
名古屋大学
-
酒井 良介
名古屋大学大学院理学研究科
-
陳 博
名古屋大学大学院工学研究科
-
安井 健一
名古屋大学大学院理学研究科
-
中西 彊
名古屋大学理学研究科
-
中西 彊
名古屋大学 理学部 理博
-
宇治原 徹
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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