山本 将博 | 名古屋大学理学研究科
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概要
関連著者
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中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
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山本 将博
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山本 将博
名古屋大学理学研究科
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中西 彊
名古屋大学 理学部 理博
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
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宇治原 徹
名大工
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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竹田 美和
名古屋大学
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宇治原 徹
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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奥見 正治
名古屋大学・大学院理学研究科
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中川 靖英
名古屋大学・大学院理学研究科
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金 秀光
名大工
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竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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中西 彊
名古屋大学大学院理学研究科
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金 秀光
名古屋大学工学研究科
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谷奥 雅俊
名古屋大学工学研究科
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渕 真悟
名古屋大学工学研究科
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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酒井 良介
名古屋大学大学院理学研究科
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渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
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奥見 正治
名古屋大学 理学部
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山本 尚人
KEK
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山本 尚人
名大工
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山本 尚人
名古屋大学大学院 工学研究科
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山本 尚人
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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中西 彊
名古屋大学理学研究科
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安井 健一
名古屋大学理学研究科
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安井 健一
名古屋大学大学院理学研究科
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栗木 雅夫
広島大院先端物質
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真野 篤志
名古屋大学・大学院理学研究科
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安江 常夫
大阪電通大
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越川 孝範
大阪電通大
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坂 貴
大同工大
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加藤 俊宏
大同特殊鋼
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中西 彊
名大理
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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安江 常夫
大阪電気通信大学
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越川 孝範
大阪電通大エレクトロニクス基礎研
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前多 悠也
名古屋大学工学研究科
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坂 貴
大同工業大学工学部
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坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
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堀中 博道
大阪府立大学
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野
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加藤 鷹紀
名古屋大学大学院工学研究科
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前田 義紀
名古屋大学大学院工学研究科
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陳 博
名古屋大学大学院工学研究科
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Horinaka Hiromichi
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
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Horinaka Hiromichi
Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University
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越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
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安江 常夫
大阪電通大工
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桑原 真人
名古屋大学・大学院理学研究科
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吉岡 正和
高工研
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吉岡 正和
高エネルギー物理学研究所
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松本 浩
高工研
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松本 浩
高エネルギー加速器研究機構
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宮本 延春
名古屋大学理学研究科
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浪花 健一
名古屋大学理学研究科
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古田 史生
高エネルギー加速器研究機構
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栗木 雅夫
高エネルギー加速器研究機構
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浪花 健一
名大理
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古田 史生
高工研
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吉岡 正和
高エネルギー加速器研究機構
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浪花 健一
名古屋大学大学院理学研究科素粒子宇宙物理学専攻
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照沼 信浩
高エ研
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浦川 順治
KEK
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浦川 順治
高エネルギー加速器研究機構
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早野 仁司
高エネ研
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栗木 雅夫
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Karataev Pavel
KEK
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照沼 信浩
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KEK
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山崎 良建
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総合研究大学院大学
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和田 公路
名古屋大学理学研究科
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名古屋大学理学研究科
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西谷 智博
名古屋大学理学研究科
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高野 幹男
さうび
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平野 耕一郎
高エ研
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山崎 良雄
高エ研
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栗木 雅夫
KEK 田無分室
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西谷 智博
原子力機構量子ビーム応用研究部門
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早野 仁司
KEK-ATF
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西谷 智博
名古屋大学
著作論文
- 24aXM-8 RF電子銃におけるCsTe陰極の電子放出特性とその安定化(リニアコライダー・RFガン,新領域)
- 25aXM-3 NEA-GaAsフオトカソードを用いた低エミッタンス電子源開発の現状(新領域シンポジウム 主題 : 高輝度電子ビーム源,新領域)
- 27pZR-2 スピン偏極電子源のフォトカソード長寿命化(粒子源)(新領域)
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))