渕 真悟 | 名古屋大学大学院工学研究科

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概要

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• 名古屋大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 渕 真悟

  名古屋大学工学研究科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 渕 真悟

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宇治原 徹

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宇治原 徹

  名大工

• 竹田 美和

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 宇治原 徹

  名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野

• 宇治原 徹

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 中西 彊

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 中川 靖英

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 金 秀光

  名大工

• 山本 将博

  KEK

• 山本 将博

  名古屋大学理学研究科

• 金 秀光

  名古屋大学工学研究科

• 谷奥 雅俊

  名古屋大学工学研究科

• 中西 彊

  名古屋大学 理学部 理博

• 竹田 美和

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹田 美和

  名古屋大学小型シンクロトロン光研究センター

• 山本 尚人

  KEK

• 奥見 正治

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 真野 篤志

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 山本 尚人

  名大工

• 安江 常夫

  大阪電通大

• 越川 孝範

  大阪電通大

• 坂 貴

  大同工大

• 加藤 俊宏

  大同特殊鋼

• 山本 尚人

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 堀中 博道

  大阪府立大学工学研究科

• 山本 尚人

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 越川 孝範

  大阪電気通信大学

• 安江 常夫

  大阪電気通信大学

• 越川 孝範

  大阪電通大エレクトロニクス基礎研

• 中西 彊

  名古屋大学大学院理学研究科

• 前多 悠也

  名古屋大学工学研究科

• 坂 貴

  大同工業大学工学部

• 坂 貫

  大同特殊鋼株式会社技術開発研究所

• 堀中 博道

  大阪府立大学

• 堀中 博道

  大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野

• 加藤 鷹紀

  名古屋大学大学院工学研究科

• 酒井 良介

  名古屋大学大学院理学研究科

• 前田 義紀

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宇木 大輔

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 山口 岳宏

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 田中 雄太

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• Horinaka Hiromichi

  Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn

• Horinaka Hiromichi

  Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University

• 大島 弘嗣

  名古屋大学大学院工学研究科

• 小林 俊一

  名古屋大学大学院工学研究科

• 越川 孝範

  大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所

• 中西 彊

  名古屋大学理学研究科

• 奥見 正治

  名古屋大学 理学部

• 安江 常夫

  大阪電通大工

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 野々垣 陽一

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 守屋 博光

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 野々垣 陽一

  岡崎国立共同研究機構分子科学研究所

• 山崎 順

  名大エコトピア研

• 田中 信夫

  名古屋大学

• 李 祐植

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 三宅 信輔

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 山崎 順

  名古屋大学エコトピア科学研究機構工学研究科

• 山崎 順

  名古屋大学エコトピア科学研究所

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著作論文

• 分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子(量子ドットの使い方)
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 球面収差補正高分解能TEMによるInGaAs量子ドットの局所歪状態の観察
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島GaP(001)構造の作製
• ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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