宇治原 徹 | 名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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概要
関連著者
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宇治原 徹
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
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宇治原 徹
名大工
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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竹田 美和
名古屋大学
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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竹田 美和
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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渕 真悟
名古屋大学工学研究科
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渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
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中西 彊
名古屋大学・大学院理学研究科
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山本 将博
KEK
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山本 将博
名古屋大学理学研究科
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中西 彊
名古屋大学 理学部 理博
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中川 靖英
名古屋大学・大学院理学研究科
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金 秀光
名大工
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中西 彊
名古屋大学大学院理学研究科
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金 秀光
名古屋大学工学研究科
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谷奥 雅俊
名古屋大学工学研究科
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酒井 良介
名古屋大学大学院理学研究科
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中西 彊
名古屋大学理学研究科
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李 祐植
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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原田 俊太
名古屋大学大学院工学研究科
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関 和明
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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山本 尚人
KEK
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奥見 正治
名古屋大学・大学院理学研究科
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真野 篤志
名古屋大学・大学院理学研究科
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山本 尚人
名大工
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安江 常夫
大阪電通大
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越川 孝範
大阪電通大
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坂 貴
大同工大
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加藤 俊宏
大同特殊鋼
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山本 尚人
名古屋大学大学院 工学研究科
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科
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山本 尚人
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
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越川 孝範
大阪電気通信大学
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安江 常夫
大阪電気通信大学
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越川 孝範
大阪電通大エレクトロニクス基礎研
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安井 健一
名古屋大学理学研究科
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前多 悠也
名古屋大学工学研究科
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坂 貴
大同工業大学工学部
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坂 貫
大同特殊鋼株式会社技術開発研究所
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原田 俊太
京都大学大学院
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堀中 博道
大阪府立大学
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堀中 博道
大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野
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加藤 鷹紀
名古屋大学大学院工学研究科
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前田 義紀
名古屋大学大学院工学研究科
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宇木 大輔
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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山口 岳宏
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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田中 雄太
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
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陳 博
名古屋大学大学院工学研究科
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Horinaka Hiromichi
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
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Horinaka Hiromichi
Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University
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安井 健一
名古屋大学大学院理学研究科
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吉田 義浩
名古屋大学大学院工学研究科
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越川 孝範
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
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奥見 正治
名古屋大学 理学部
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関 和明
名古屋大学大学院工学研究科
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安江 常夫
大阪電通大工
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山本 祐治
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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宇治原 徹
名古屋大学工学部
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原田 俊太
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
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関 和明
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
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山本 祐治
名古屋大学大学院工学研究科
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塚本 勝男
東北大学大学院理学研究科
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塚本 勝男
東北大院理
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中田 俊隆
立命館大理工
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塚本 勝男
東北大理
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中田 俊隆
立命館大学理工学部
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宇治原 徹
東北大金研
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灘 浩樹
産業技術総合研究所
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石川 正道
東京工業大学
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奥津 哲夫
群馬大学大学院
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石守 恒一郎
慶應大学理工学部
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荒木 優希
東北大学理学研究科地学専攻博士課程
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山下 基
立命館大学薬学部
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三宅 信輔
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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本同 宏成
北大農
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久保 貴資
立命大理工
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奥津 哲夫
群馬大学工学研究科
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奥津 哲夫
群馬大学大学院工学研究科
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塚本 勝男
東北大学大学院理学研究科地球惑星物質科学科
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久保 貴資
立命館大理工
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本同 宏成
立命館大理工
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神部 拓也
立命館大理工学部
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西田 幸司
立命館大理工学部
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本同 宏成
立命大理
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宇治 原徹
名大院・工
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山下 基
立命館大学情報理工学部
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山本 祐治
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
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宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
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塚本 勝男
東北大学大学院 理学研究科 地球惑星物質科学
著作論文
- 2010年日本結晶成長学会特別講演会「地球を救う結晶成長」(学会活動報告)
- 分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子(量子ドットの使い方)
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 第34回結晶成長討論会開催報告(学会活動報告)
- SiC及び関連材料国際会議
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 03aD01 GaAs基板上に成長した有機薄膜に対する表面酸化物の影響(バイオ・有機マテリアル(2),第36回結晶成長国内会議)
- GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- どこまで単結晶に近づけるか? : 配向多結晶薄膜の結晶成長(ナノ構造・エピタキシャル成長研究会)
- 生体膜における相分離構造に関する研究
- CT-2-2 高品質SiC溶液成長(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- SiC溶液成長の最近の展開(SiCの現状と今後の展開)
- SiC結晶成長における多形制御 : 速度論的多形制御法の提案(3C-SiC溶液成長を例に)(準安定相の形成と結晶成長)
- SiC溶液成長の最近の展開