SiC溶液成長の最近の展開(<特集>SiCの現状と今後の展開)
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概要
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Solution growth has a potential to achieve high quality bulk SiC growth. In this paper we review current advances in SiC solution growth specially focusing on the crystal quality. During the solution growth, threading dislocations tend to be converted to basal plane defects by the step-flow of macrosteps. This phenomenon implies that all dislocations can be excluded from the lateral face of the crystal in principle. Actually, high quality SiC crystal with very low threading dislocation density was obtained applying the dislocation conversion during the solution growth.
- 2013-04-00
著者
-
宇治原 徹
名古屋大学大学院工学研究科
-
原田 俊太
京都大学大学院
-
原田 俊太
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
-
関 和明
名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻材料工学分野
-
山本 祐治
名古屋大学大学院工学研究科
-
関 和明
名古屋大学大学院工学研究科
-
原田 俊太
名古屋大学大学院工学研究科
-
宇治原 徹
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
-
関 和明
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
-
山本 祐治
名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野
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