メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

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概要

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InP基板上のInAsドットは、歪みを利用した自己形成法での作製が困難である。それに対して我々は液滴へテロエピタキシー法を用いてInAsドットの形成を行ってきた。本研究では、さらにドットサイズの均一性向上を目的として、選択成長により形成したテンプレートInP基板へのInAsドットの成長を試みた。テンプレートには、InP(001)基板に[1-10]方向に伸びたライン状メサ構造を用いた。その結果、InAsドットは40〜60nmの比較的小さなサイズと、140〜160nmの大きなサイズのものが安定に存在できる傾向が見られこと、さらに、テンプレート頂上面の幅を小さなサイズのものに合わせることでサイズの均一化が可能であることを明らかにした。それよりも大きいと量子ドットのサイズ分布が二極化し、一方、幅が小さすぎると全くドットが形成されないことがわかった。さらに、サイズ分布によって発光スペクトルも変化することを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-05-19

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