GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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全有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法によって作製されたGaInP/GaAs界面は、AsとP原子の置換やInのメモリ効果により、良質なヘテロ界面を得ることは困難である。77Kにおけるフォトルミネッセンス(PL)測定において、GaAsバンド端より長波長側にブロードな発光が観測される。この発光はGaInP上に成長されたGaAs界面に起因しており、成長温度を550℃以下にすることで消失した。界面の成長温度を540℃としたGaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度は、界面を580℃で成長したレーザよりも低く、素子間のばらつきも小さいことが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
藤原 康文
名大工
-
藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
-
竹田 美和
名古屋大学
-
小泉 淳
名大院工
-
小泉 淳
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科
-
浦上 晃
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学
-
浦上 昇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科
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