吉兼 豪勇 | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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概要
関連著者
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藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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藤原 康文
名大工
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藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
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竹田 美和
名古屋大学
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小泉 淳
名大院工
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小泉 淳
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科
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井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科
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浦上 昇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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藤原 康文
大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻
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小川 和男
名古屋大学大学院工学研究科
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田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
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田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
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田淵 雅夫
名大工
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森 敬洋
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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井上 大那
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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槇 英信
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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槇 英信
名古屋大学大学院工学研究科
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田渕 雅夫
名古屋大学
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浦上 晃
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学
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浦上 昇
名古屋大学大学院工学研究科
著作論文
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III
- OMVPE法によるEr,O共添加GaAs/GaInPDH構造発光ダイオードの作製とその発光特性 : エピキタシャル成長III
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)