藤原 康文 | 大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻

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概要

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関連著者

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 藤原 康文

  大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 小泉 淳

  名大院工

• 小泉 淳

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 寺井 慶和

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 寺井 慶和

  大阪大学大学院工学研究科

• 西川 敦

  大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田渕 雅夫

  名大vbl:jst Trip

• 田淵 雅夫

  名大工

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

• 吉田 誠

  東大物性研

• 太田 仁

  神戸大VBL

• 竹田 美和

  名大院工

• 吉田 誠

  神戸大VBL

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 平加 憲作

  神戸大自然

• 大賀 涼

  名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 大賀 涼

  名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 中村 新男

  名大院工

• 大久保 晋

  神戸大VBL

• 藤原 康文

  阪大院工

• 西川 敦

  大阪大学基礎工学研究科機能創成専攻

• 李 祐植

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 井上 堅太郎

  名古屋大学大学院工学研究科

• 小川 和男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 森 敬洋

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 久野 尚志

  名古屋大学大学院工学研究科

• 平田 智也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 井上 大那

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 槇 英信

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 吉田 義浩

  名古屋大学大学院工学研究科

• 茜 俊光

  Crest-jst

• 神野 真吾

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 中村 新男

  CREST-JST

• 浦上 昇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 槇 英信

  名古屋大学大学院工学研究科

• 神野 真吾

  名古屋大学大学院工学研究科

• 太田 仁

  神戸大学分子フォトサイエンス研究センター

• 西川 敦

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 藤原 康文

  名大院工

• 國本 崇

  徳島文理大工

• 国本 崇

  神戸大vbl

• 西川 敦

  大阪大学 大学院基礎工学研究科 機能創成専攻

• 小泉 淳

  名大VBL

• 寺井 慶和

  大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻

• 井上 堅太郎

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 山内 勇

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル科学専攻材料機能形態制御学講座結晶成長工学領域

• 大渕 博宣

  名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻

• 山内 勇

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 山内 勇

  大阪大学大学院工学研究科

• 赤堀 友彦

  東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻

• 久留 真一

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 吉兼 豪勇

  GalnP

• 小泉 淳

  GaAs

• 藤原 康文

  GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性

• 浦上 晃

  GalnP

• 井上 堅太郎

  GaAs

• 竹田 美和

  GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性

• 浦上 晃

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学

• 三品 明生

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 赤堀 友彦

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 藤原 康文

  大阪大学工学研究科マテリアル科学専攻

• 小泉 淳

  GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性

• 井上 堅太郎

  GalnP/GaAs/GalnPレーザの闇値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性

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著作論文

• GaNを利用した赤色発光ダイオード--世界初Eu添加GaNによる赤色LED (特集 紫外-可視-赤外 最新半導体光源の可能性)
• Eu添加GaN赤色発光ダイオードの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性
• 希土類添加半導体の現状と将来展望
• 14aYC-1 希釈磁性半導体 GaAs : Er, O 及び Zn 共添加 GaAs : Er, O, Zn の X-band ESR 測定(磁性半導体, 領域 4)
• 27pYA-12 X-band ESRによるGaAs:Er,Oの発光中心の解明III(磁性半導体)(領域4)
• 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
• 21pTH-8 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明 II
• InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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• 固相反応によるバルクβ-FeSi_2結晶生成用ロッド状整列共晶組織の形成とその方位解析(半導体エレクトロニクス)
• 希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開 : 結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製
• Room-Temperature Operation of Injection-Type 1.5μm Light-Emitting Diodes with Er, O-Codoped GaAs (Special Issue on Narrow and Wide-Bandgap Semiconductor Materials)
• OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)

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