大賀 涼 | 名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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概要
関連著者
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大賀 涼
名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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大賀 涼
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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藤原 康文
名大工
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竹田 美和
名古屋大学
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藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
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李 祐植
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
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田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
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田淵 雅夫
名大工
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田名瀬 勝也
名古屋大学大学院工学研究科
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田渕 雅夫
名古屋大学
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山川 市朗
名大院工
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小泉 淳
名大院工
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小泉 淳
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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久留 真一
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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浜中 泰
名大院工
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中村 新男
名大院工
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藤原 康文
名大院工
-
竹田 美和
名大院工
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中村 新男
名古屋大学大学院工学研究科
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藤原 康文
大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻
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山田 寛之
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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中村 新男
名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科
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山川 市朗
名古屋大学大学院工学研究科
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吉田 義浩
名古屋大学大学院工学研究科
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田名瀬 勝也
名大院工
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大賀 涼
名大院工
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中村 新男
名大理工総研
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塩沢 学
名古屋大学大学院工学研究科
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涌井 義一
名古屋大学大学院工学研究科
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濱中 泰
名古屋大学理工科学総合研究センター, CREST-JST
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野々垣 陽一
岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
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濱中 泰
名工大院
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浜中 泰
名大理工総研
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市田 正夫
名大理工総研
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羽立 等
名大理工総研
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野々垣 陽一
名大院工
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山川 市朝
名大理工総研
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大賀 涼
名大理工総研
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野々垣 陽一
名大理工総研
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藤原 康文
名大理工総研
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竹田 美和
名大理工総研
著作論文
- III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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- InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III
- InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
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- InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
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- X線CTR散乱法と断面STMによるヘテロ界面形成過程の考察 : OMVPE法によるInP/InGaAs/InPの形成(電子部品・材料,及び一般)
- 25pXD-6 In_Ga_AS/InP多重量子井戸の正孔緩和ダイナミクス
- 25aC-8 InP上の選択成長InGaAs量子構造のカソードルミネセンス
- 18aPS-20 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス II
- 27aYA-5 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス