InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

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概要

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• InP(001)基板に格子整合したInGaAsP上へ液滴エピタキシーによりInAs量子ドットを作製した。In液滴の形成時にTMIn供給時間を変化させたところ、その成長過程はInP基板上のInAs量子ドットと相違が見られた。InP基板上では全ての供給時間においてドット同士の合体により大きなドットが形成される。一方、InGaAsP上では短時間の供給においてInAs量子ドットの合体が抑制された。その結果、小さなドットのみの構造を得ることができた。室温電流注入により発光特性を評価し、InAsドットからの発光が観測された。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-05-17

著者

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 李 祐植

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 大賀 涼

  名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 大賀 涼

  名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

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