有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• We have grown n-type GaInP layers on GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy using H_2S as a dopant source. We have found a decrease in the GaInP lattice constant with an increasing H_2S supply. The lattice constant of GaInP varied from 5.7009 to 5.6318Å for the H_2S supply from 0 to 1.786μmol/min. The In composition depends greatly on the H_2S supply.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2002-07-01

著者

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 小泉 淳

  名大院工

• 小泉 淳

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 井上 堅太郎

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 井上 堅太郎

  名古屋大学大学院工学研究科

• 浦上 昇

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 浦上 昇

  名古屋大学大学院工学研究科

• 吉兼 豪勇

  名古屋大学大学院工学研究科

関連論文

• 日本結晶成長学会第11代会長挨拶
• 分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子(量子ドットの使い方)
• スパッタリング併用有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加ZnOの作製とその発光特性
• 有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加窒化ガリウムの成長温度依存性
• GaNを利用した赤色発光ダイオード--世界初Eu添加GaNによる赤色LED (特集 紫外-可視-赤外 最新半導体光源の可能性)
• 中部シンクロトロン光利用施設の建設がスタート
• Eu添加GaN赤色発光ダイオードの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性
• TBP、TBAsを用いたOMVPE成長III-V族化合物半導体の特性に及ぼす水素流量の効果
• 青色発光ダイオードを求めて
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 中部シンクロトロン光利用施設(仮称)計画
• XAFSによる半導体ミクロ構造の解析と物性
• (半導体ヘテロ接合の基礎) ヘテロ界面とバンド不連続
• NCCG-40とICCG-16(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• セシウムテルライド薄膜フォトカソードの量子効率の基板依存性
• セシウムテルライド薄膜フォトカソードの量子効率の膜厚依存性
• (29) 企業人の指導による創造性育成工学実験の試み : 「高度総合工学創造実験」の紹介(第9セッション 教育システム(IV))
• 希土類添加半導体の現状と将来展望
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 31pYH-15 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 球面収差補正高分解能TEMによるInGaAs量子ドットの局所歪状態の観察
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島GaP(001)構造の作製
• 14aYC-1 希釈磁性半導体 GaAs : Er, O 及び Zn 共添加 GaAs : Er, O, Zn の X-band ESR 測定(磁性半導体, 領域 4)
• X線CTR散乱によるInP/InAsP/InP界面の構造解析
• 24pC-8 ESRによる酸素共添加InP:Erの電子状態の解析
• 28p-YN-7 ESRによるInP:Erの電子状態の解析
• 第19回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム報告
• 大学院における創造性育成教育の実践
• (19)高度総合工学創造実験の試行(第5セッション 教育システム(V))
• Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析
• XAFSによる半導体ミクロ構造の解析と物性
• 格子整合と格子不整合
• 成長条件で決まるミクロな構造とマクロな物性 : 半導体中Er発光の成長条件依存性とその局所構造
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 27pYA-12 X-band ESRによるGaAs:Er,Oの発光中心の解明III(磁性半導体)(領域4)
• 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
• 21pTH-8 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明 II
• InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• 25a-YE-11 InP基板上の半金属ErP島構造の量子サイズ効果
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
• InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• フェイスダウンOMVPE法により作製したInP上のErP成長形態の基板面方位依存性 : エピキタシャル成長III
• フェイスダインOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
• フェイスダウンOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
• 固相反応によるバルクβ-FeSi_2結晶生成用ロッド状整列共晶組織の形成とその方位解析(半導体エレクトロニクス)
• 28pTB-8 InP(001)面におけるErPの成長と表面構造
• 26p-YR-9 InGaAs/InP多層量子井戸構造の断面STM観察
• 有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III
• OMVPE法によるEr,O共添加GaAs/GaInPDH構造発光ダイオードの作製とその発光特性 : エピキタシャル成長III
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• 25pXD-6 In_Ga_AS/InP多重量子井戸の正孔緩和ダイナミクス
• 25aC-8 InP上の選択成長InGaAs量子構造のカソードルミネセンス
• 31a-ZG-12 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトルII
• 25a-YN-2 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトル
• 28pYF-3 InGaP/GaAs ヘテロ接合における赤外発光
• 希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開 : 結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製
• 17pTG-1 ESRによるGaAs:Dyの電子状態の解析
• 28aTB-5 ESRによる酸素共添加Ga As; Erの電子状態の解析III
• 23pSB-13 ESRによる酸素共添加GaAs;Erの電子状態の解析II
• 22aK-13 ESRによる酸素共添加GaAs;Erの電子状態の解析
• Edge-Light Backlight Unit Using Optically Patterned Film
• Edge-light backlight unit using optically patterned film with plural light-emitting diodes placed on side as light source
• Room-Temperature Operation of Injection-Type 1.5μm Light-Emitting Diodes with Er, O-Codoped GaAs (Special Issue on Narrow and Wide-Bandgap Semiconductor Materials)
• 18aPS-20 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス II
• 27aYA-5 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス
• OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• ＴＥＧａ，ＴＢＡｓを用いた有機金属気相エピタキシャル法による低温ＧａＡｓの作製

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク