InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
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概要
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全有機金属気相エピタキシー(OMVPE)法を用いてInP(001)、(111)A、(111)B基板上にErP/InP、InP/ErP/InPヘテロ構造を作製し、原子間力顕微鏡(AFM)および走査電子顕微鏡(SEM)により表面モホロジーを評価した。ErPはいずれも島状に成長し、そのサイズは成長温度上昇に伴い大きくなった。ErP上のInPキャップ層の成長では、InPホモ成長の最適条件を用いた場合、いずれの面方位においてもInPは島状に成長し、ErPを完全に被覆することができなかった。InP(001)、(111)B基板においては、成長温度を降下させることによってInP平坦島同士が結合し、ErPを完全被覆することができた。一方、InP(111)A基板では成長温度を低下させても、全面被覆をさせることができなかった。XRD測定より、InPバッファ層に双晶が存在し、キャップ層成長に影響を与えていることが明らかになった。
- 2003-05-09
著者
-
中村 新男
名大院工
-
藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
藤原 康文
名大工
-
藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
-
竹田 美和
名古屋大学
-
藤原 康文
大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻
-
久野 尚志
名古屋大学大学院工学研究科
-
平田 智也
名古屋大学大学院工学研究科
-
茜 俊光
Crest-jst
-
神野 真吾
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
中村 新男
CREST-JST
-
神野 真吾
名古屋大学大学院工学研究科
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