減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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有機金属気相エピタキシー(OMVPE)法を用いてErPとの格子不整合度がInPよりも小さなGaAs(001)基板上にErP/GaInP/GaAsおよびGaInP/ErP/GaInP/GaAsヘテロ構造を作製し,蛍光EXAFS(Extended x-ray absorption fine structure)測定によりEr周辺局所構造を、ラザフォード後方散乱(RBS)測定により成長量を、原子間力顕微鏡(AFM)や走査電子顕微鏡(SEM)により表面モフォロジを評価した。その結果、GaInP上にNaCl構造のErPが形成され、InP上のErPと比較してより平坦に成長することがわかった。この材料系を用いて二重障壁共鳴トンネルダイオード構造を作製したところ、室温において負性微分抵抗が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-06
著者
-
中村 新男
名大院工
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
山内 武志
名古屋大学工学研究科応用物理学専攻
-
中村 新男
名古屋大学大学院工学研究科
-
大西 宏幸
名大院工
-
山川 市朗
名大院工
-
竹田 美和
名古屋大学
-
小泉 淳
名大院工
-
小泉 淳
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
-
大渕 博宣
名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻
-
田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
-
田淵 雅夫
名大工
-
中村 新男
名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科
-
山内 武志
JST-CREST
-
大西 宏幸
名古屋大学大学院工学研究科
-
鷹羽 一輝
名古屋大学大学院工学研究科
-
久野 尚志
名古屋大学大学院工学研究科
-
平田 智也
名古屋大学大学院工学研究科
-
島田 里美
名古屋大学大学院工学研究科
-
人見 伸也
名古屋大学大学院工学研究科
-
山川 市朗
名古屋大学大学院工学研究科
-
人見 伸也
名古屋大学工学研究科応用物理学専攻
-
田渕 雅夫
名古屋大学
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