山内 武志 | JST-CREST
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概要
関連著者
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中村 新男
名大院工
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山内 武志
名古屋大学工学研究科応用物理学専攻
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大西 宏幸
名大院工
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山川 市朗
名大院工
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小泉 淳
名大院工
-
山内 武志
JST-CREST
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人見 伸也
名古屋大学工学研究科応用物理学専攻
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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中村 新男
名古屋大学大学院工学研究科
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竹田 美和
名古屋大学
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小泉 淳
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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大渕 博宣
名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻
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田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
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田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
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田淵 雅夫
名大工
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中村 新男
名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科
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大西 宏幸
名古屋大学大学院工学研究科
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鷹羽 一輝
名古屋大学大学院工学研究科
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久野 尚志
名古屋大学大学院工学研究科
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平田 智也
名古屋大学大学院工学研究科
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島田 里美
名古屋大学大学院工学研究科
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人見 伸也
名古屋大学大学院工学研究科
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山川 市朗
名古屋大学大学院工学研究科
-
田渕 雅夫
名古屋大学
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竹田 美和
名大院工
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人見 伸也
名大院工
著作論文
- 12pPSA-7 半金属量子井戸 ErP/GaInP/GaAs 共鳴トンネルダイオードの負性微分抵抗(領域 4)
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))