山内 武志 | 名古屋大学工学研究科応用物理学専攻

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概要

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関連著者

• 山内 武志

  名古屋大学工学研究科応用物理学専攻

• 田淵 雅夫

  名大工

• 田渕 雅夫

  名大vbl:jst Trip

• 中村 新男

  名大院工

• 山内 武志

  CREST-JST

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 松葉 康

  名古屋大学工学研究科

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

• 大山 泰明

  名大理工総研

• 人見 伸也

  名古屋大学工学研究科応用物理学専攻

• 中村 新男

  名大理工総研

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 中村 新男

  名古屋大学大学院工学研究科

• 大西 宏幸

  名大院工

• 山川 市朗

  名大院工

• 小泉 淳

  名大院工

• 中村 新男

  名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科

• 山内 武志

  JST-CREST

• 人見 伸也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中村 新男

  CREST-JST

• 山内 武志

  名大理工総研

• 小泉 淳

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 大渕 博宣

  名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻

• 大西 宏幸

  名古屋大学大学院工学研究科

• 鷹羽 一輝

  名古屋大学大学院工学研究科

• 久野 尚志

  名古屋大学大学院工学研究科

• 平田 智也

  名古屋大学大学院工学研究科

• 島田 里美

  名古屋大学大学院工学研究科

• 山川 市朗

  名古屋大学大学院工学研究科

• 磯貝 佳孝

  名大院工

• 松葉 康

  名大工

• 田渕 雅夫

  名大工

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 渡邊 直樹

  名大院工

• 渡邊 直樹

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 磯貝 佳孝

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 神野 真吾

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 大山 泰明

  名古屋大学工学研究科

• 大山 泰明

  名大工

• 神野 真吾

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹田 美和

  名大工

• 中村 新男

  名大工

• 竹田 美和

  名大院工

• 濱中 泰

  名工大院

• 野々垣 陽一

  名大工

• 森 敬洋

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 小出 辰彦

  名大院工

• 人見 伸也

  名大院工

• BOLOTOV L.

  名大理工総研

• 野々垣 陽一

  岡崎国立共同研究機構分子科学研究所

• Bolotov L

  名大理工総研

• 濱中 泰

  名大院工

• 安達 俊彰

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 田渕 雅夫

  名大院工

• 川崎 修

  名大院工

• 日合 大輔

  名大理工総研

• 小出 辰彦

  名大理工総研

• 磯貝 佳孝

  名大理工総研

• 藤原 庫文

  名大理工総研

• 竹田 美和

  CREST, JST

• 山内 武志

  科学技術振興事業団CREST

• 中村 新男

  科学技術振興事業団CREST

• 山内 武志

  科学技術新興事業団CREST

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  科学技術新興事業団CREST

• 大山 泰明

  名大院工

• 松葉 康

  名大院工

• 田淵 雅夫

  名大院工

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著作論文

• 12pPSA-7 半金属量子井戸 ErP/GaInP/GaAs 共鳴トンネルダイオードの負性微分抵抗(領域 4)
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• フェイスダインOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
• フェイスダウンOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
• 1原子挿入層によるヘテロ界面と結晶性の制御(電子部品・材料, 及び一般)
• 31pZF-5 ケルビンカ顕微鏡による GaAs 上 InAs 量子ドットの局所ポテンシャル観測
• 17pRF-14 スピンコート膜中のメロシアニン色素J会合体の走査プローブ顕微鏡観察 II
• 28pTB-8 InP(001)面におけるErPの成長と表面構造
• 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化
• 走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化
• 25aTA-4 GaAs(001)面上InGaAs量子ドットのトンネルスペクトルにおける光照射効果
• 23pW-2 GaAs(001)面上InGaAs量子ドットの走査トンネル分光
• 25pY-8 光照射下におけるInAs/GaAs自己形成量子ドットの走査トンネル分光
• 25pY-7 走査トンネル分光を用いたInAs/GaAs量子ドットの量子閉じ込め効果の観測
• 26p-YR-9 InGaAs/InP多層量子井戸構造の断面STM観察
• 6aSN-1 GaAs上InAs量子ドットの走査トンネル分光における金属吸着効果(表面ナノ構造量子物性,領域9)

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