走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化

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概要

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• GaAs(001)面上に自己形成した量子ドットの構造と電子状態の関係を走査トンネル顕微鏡/走査トンネル分光によって調べた。InAs量子ドットの場合、ギャップエネルギーのドット高さ依存性から、高さ方向の閉じこめ効果が主としてギャップを決めていることがわかった。また、In_<0.46>Ga_<0.54>Asドットの場合には、ドット内部においてIn濃度が約0.7に増加していることを考慮すると、ギャップの高さ依存性が説明できることがわかった。即ち、In_<0.46>Ga_<0.54>Asドットでは、ドット成長時に合金化が起きていることをこの結果は示している。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-02-21

著者

• 山内 武志

  名古屋大学工学研究科応用物理学専攻

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田渕 雅夫

  名大vbl:jst Trip

• 田淵 雅夫

  名大工

• 大山 泰明

  名大理工総研

• 大山 泰明

  名古屋大学工学研究科

• 松葉 康

  名古屋大学工学研究科

• 山内 武志

  科学技術新興事業団CREST

• 中村 新男

  科学技術新興事業団CREST

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

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